HL
其他(mm)
单色
其他
LED外延
其他
否
蓝光外延片供货标准一. 外延片物理尺寸二. 外延片物理结构 50.8&plu*n;0.25mmP-t*e LayerP-GaN Total thickness:430 &plu*n; 25um Etchingdepth:11000~13000&am...
手机:18673521150
NMCOB-200M-R/G/B 微型掌上手掌投影
LumiEngin
LumiEngin® 手掌投影*光源 • 芯片出光面积:紧凑型均匀面光源,发光面积2平方毫米 • *出光量:连续工作条件下,单晶红蓝绿的出光量分别为280,560和120流明 • 低热阻:高导热铜基板MCPCB封装,热阻*2.6C/W • 微投影应用:专为微型投影仪设计,适于DLP...
电话:0512-69588274
12*12、13.5*13.5、14*17mil
台湾
封装形式 外延片 发光颜色 白 应用范围 发光(LED) 台湾COW*品外延片强势供应,品质*,包退换货. 博信达光电科技有限公司“博采众长、诚信*、达礼固本”于外,因我们在行业内傲人的吞货量、走货迅捷、资金回笼快,因而合作的上游厂家*各大磊晶厂,充分的掌控了一手资源。于内,公司已经俨然成了内地封装企业LED芯片供给的“大...
电话:0755-26161061
手机:13715150437
KD-XXX
Korea
封装形式 无 发光颜色 蓝绿 应用范围 发光(LED) 大量供LED外延片!!! 韩国出品,蓝绿均有!!! 公司依靠自身的芯片资源和雄厚的资金技术实力,致力于将“光道”打造成国内大功率光源的品牌。 目前公司拥有多台自动化生产设备,数十名熟练技术工人,1W大功率月产量在3000K以上。 公司秉承以品质服务客户,以价格抢占市场为宗旨,...
电话:755-27958578
手机:15017933529
AIGaInP LED
Times
应用范围 发光(LED) 结构 面接触型 材料 砷化镓(GaAs) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 功率特性 小功率 频率特性 中频 发光颜色 红色 LED封装 无色散射封装(W) 出光面特征 三角形 发光强度角分布 标准型 正向工作电流 20m(A) 反向电压 2.2(V) AlGaInP LED芯片介绍 设计外延层结构和控制MOCVD生长工艺,针对不同应用...
电话:010-67855657-808
手机:13718962953
11C12D/13A
上海蓝光
应用范围 发光(LED) 结构 点接触型 材料 氮化镓 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 双色 出光面特征 圆形 发光强度角分布 高指向性 海蓝光科技有限公司是生产*亮蓝/白光、翠绿光LED芯片等,主要应用于LED灯饰、景观照明、背光源、数码管、亮化工程、户内外LED全彩显示屏等。 芯片...
电话:0755-82908445
手机:15986687600
1月22日,江苏澳洋顺昌股份有限公司(以下简称“公司”)发布公告称,公司控股子公司淮安澳洋顺昌光电技术有限公司(以下简称“淮安光电”)近日接相关部门通知,根据江苏省发展和改革委员会及江苏省财政厅文件,淮安光电LED外延片和芯片建设项目列入省级战略性新兴产业发展专项资金项目及投...
华灿光电22日晚间公告,其全资子公司(苏州)有限公司日前与张家港经济技术开发区管理委员会签署项目投资协议,上市公司将在张家港经济技术开发区投资建设“华灿光电(苏州)有限公司LED外延片、芯片四期项目”。具体来看,该项目阶段总投资额初步预估为25亿元,建设期三年。其中建设投资20.93亿...
白炽灯的淘汰计划引来LED商家的入市潮,但由于价格等原因LED照明灯具始终未能正式打开中国市场,另外当前我国还仅仅只能掌握LED应用环节,而在利润相对更高的分装以及芯片环节则只能望之兴叹,尤其是芯片开发以及单晶硅的提纯等各种核心技术,多数都掌握在美
昨日上午,临安市与杭州丽能实业有限公司签约建设LED外延片和芯片项目。这标志着该项目正式落户临安市,也标志着该项目进入了具体实施阶段。市委副书记、市长王宏在签约仪式上致辞;市委常委张金良主持仪式;市委常委、副市长柴世民与杭州丽能实业有限公司董事长胡
延续2009年第2季半导体产业景气自谷底弹升,包括台积电、联电、特许半导体(Chartered)及中芯等前4大外延片代工厂,2009年第3季合计营收达43.3亿美元,较前季成长22.1%,但与2008年同期相较,仍出现5.7%衰退.其中,联电第3季
外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极,N极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电
外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极,N极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电
探讨LED外延片的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型VLSI,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所有电子工业的基础。硅晶柱的长成,首先需要将
LED外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,Si)上,气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过程是非常
(北京市光电子技术实验室,北京工业大学电控学院,北京 100022)摘 要:研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的...