桥堆
是
SEP
*6M
硅(Si)
0.8A 600V
整流
是
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C13型高介陶瓷玻璃釉电容器的外形如图一所示,其主要特性参数见表一。 图一 C13型高介陶瓷玻璃釉电容器外形 表一 C13型玻璃釉电容器主要特性参数
玻璃釉电容器的介质是玻璃釉粉加压制成的薄片。因釉粉有不同的配制工艺方法,因而可获得不同性能的介质,也就可以制成不同性能的玻璃釉电容器。玻璃釉电容器具有介质介电系数。大、体积小、损耗较小等特点,耐温性和抗湿性也较好。玻璃釉电容器适合半导体电路和小型电