规格:富农新型*变频逆变器 型号:富农新型*变频逆变器 类型:抓捕设备富农新型*变频逆变器 财富 9500VA 12000VA 微波磁力机家乐福 纳米生物传感器 DC12V-8000VA-纳米技术*捕 GPJV/A 数字变频逆变器渔友 新型*变频逆变器 JFDZ-8000WJFDZ-12V-24V-8000W 自动转换*变频逆变器变雄峰 数码*声波 DC24V自动转换 GB60/70/90/140-8000...
电话：0371-68092766
品牌:鸿宝 型号:SWP 输入电压范围:0-850（V） 输出波形:正弦波 输入欠压保护:2 输入*压保护:850 输出功率:1000-400K（W） 应用范围:逆变器应用场合 (SWP系列太阳能/风能并网逆变器)太阳能/风能发电场所，光伏电站，太阳能建筑，家庭屋顶并网发电系统。产品性能 (SWP系列太阳能/风能并网逆变器)型号SWP-1000S2SWP-2500S2SWP-...
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应用范围:逆变器 品牌:富农 型号:000 频率特性:中频 电源相数:三相 铁心形状:E型 冷却形式:干式 冷却方式:自然冷式富农新型*变频逆变器5000W 捕鱼机一、产品概述：产品是将蓄电池能量转换成高压变频脉冲输出应用于江、河、湖泊等水域，从事鱼类捕捞工作的*电子式*。本机采用目前*为*的场效应逆变技术，应用美国集成电路控制...
电话：0371-55515805
品牌:昌原 型号:200W 电池类型:* 输入参数:220v 输出参数:220v 充电电流:15（A） 外形尺寸:170mm×240mm×330mm（mm） 外壳材质:喷塑机箱技术指标1、直流输入电源12V&plu*n;10输出交流波形为波，电压220V&plu*n;5可调，50HZ&plu*n;22、充电电流7—15A。3、...
电话：0371-68862635
全球电子设计和制造领域的领导者USI环旭电子（上海证券交易所代码：601231）今日宣布其功率模组团队正式启动了一项开创性的联合设计制造（JDM）项目，为电动车（xEVs）驱动逆变器打造一款名为"磁欧石"的创新型150KW功率模组（如图一）。这款产品的推出将满足...
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布已锁定共计19.5亿美元的长期供货协议(Long-term Supply Agreement, LTSA)，为多家领先的光伏逆变器制造商提供智能电源技术，进一步巩固了安森美在这一快速增长领域的头部功...
LEM 宣布推出三相电流传感器，适用于通常用于 800V 车辆牵引逆变器的碳化硅功率模块。 LEM 表示：“汽车牵引逆变器开发商越来越多地使用三相电源模块，例如英飞凌的 Hybridpack Drive、意法半导体的 Acepak Drive、安森美半导体的 SSDC，以及 Starpower 和...
新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首个集成型光伏（PV）系统采用了Transphorm氮化镓平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司的子公司。该集成型光伏系统...
运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯达克股票代码：ALGM）（以下简称Allegro）宣布，全球领先的高端汽车和摩托车制造商宝马集团（纳斯达克股票代码：BMWYY）已选择Allegro作为宝马集团所有电池驱动电动...
电机驱动消耗了欧洲近 50% 的电力 [1]。因此，各国政府制定了法规和标准，以确保尽可能高效地消耗电力，同时将对供电网的影响和中断降至最低。变速驱动器 (VSD) 现在在行业中很常见，因为与老式恒速感应电机相比，它们可减少高达 90% 的能源使用量 [2]，同时...
保持运算放大器输出在零伏或零伏以下“活动”、生成对称输出信号以及处理双极性模拟输入，都是需要几毫安负电压轨的设计情况的示例。图 1显示了基于古老的 x4053 系列三重 CMOS SPDT 开关的简单逆变器设计，该设计可高效、准确地反转正电压轨并实现降压。 ...
选择最佳类型的电机来驱动家用电器 像大多数工程设计决策一样，选择用于驱动家用电器机构的电动机类型是确定应用要求与实际解决方案所能提供的最佳折衷方案的问题。对于需要电机的家用电器——洗衣机、冰箱、空调和洗碗机等无处不在的产品——使用逆变电路...
混合动力电动汽车 (HEV) 由于采用电动机驱动而节省燃料。在混合动力汽车中，推进系统可以采用多种方式配置，例如电动马达辅助模式或全电动马达驱动模式。 对于电动机驱动，需要逆变器系统为电动机提供强大而高效的驱动。在复杂的电动机驱动系统中，应该有...
GaN 技术的三个最重要的参数是更高的带隙、临界场和电子迁移率。当这些参数结合起来时，由于 GaN 晶体的临界场高 10 倍，因此与硅 MOSFET 相比，电端子之间的距离可以近 10 倍。这导致了 GaN 和硅之间的明显区别：中压 GaN 器件可以基于平面技术构建，而这对于硅器件来说成本高昂。为了具有...
