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可控硅IGBT

（共找到“1251”条查询结果）
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单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 可控硅(晶闸管)模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
广东
源头工厂
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源头工厂直销BT138-600E TO-220 600V 12A 双向可控硅 全新晶闸管
源头工厂直销BT138-600E TO-220 600V 12A 双向可控硅 全新晶闸管
  • 型号/规格：

    BT138-600E

  • 品牌/商标：

    SEP

  • 封装：

    TO-220

  • 断态电压：

    600V

  • 安装类型：

    直插

  • 不重复浪涌电流(Itsm)：

    12A

商品属性产品种类: 双向可控硅 RoHS: 详细信息 开启状态RMS电流 - It RMS: 12 A 不重复通态电流: 105 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 0.1...

BTA26-600B 双向可控硅
BTA26-600B 双向可控硅
  • 型号/规格：

    BTA26-600B

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装：

    TO-3P

  • 批号：

    19+

  • 产品种类：

    双向可控硅

深圳市佳芯恒业科技有限公司是一家面对科研单位和OEM的供应商.公司自成立以来，一直致力于成为IC品牌独立分销商，我们更注重于公司的信誉，产品的质量以及附加值的体现。令你无后顾之...

FGL60N100FGL40N120仙童原装IGBT单管
FGL60N100FGL40N120仙童原装IGBT单管
  • 型号/规格：

    60N100

  • 品牌/商标：

    仙童

仙童IGBT/单管： FGL60N100BNTD FGA25N120AN FCH47N60N FGL40N120AN SGH40N60UFD FGH40N60UFD HGTP7N60A4 HGTG11N120CND FFPF15S60STU HGTG20N60A4D 仙童SPM模块 ： FSBF5CH60B FSBS10CH60F FSBB15CH60F FSBB20CH60F FSBB30CH60F FSB50450 FSB50550 FSBS15CH60F FNB41060 FSAM50SM60A FSB50250 FNA41560B2 仙童电源IC： FSQ...

6MBI450V-120-50
6MBI450V-120-50
  • 型号/规格：

    6MBI450V-120-50

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 批次：

    23+

  • 封装：

    模块IGBT

  • 数量：

    200

  • 原装：

    深圳现货

参数列表搜索代替器件技术参数极性N-Channel工作温度(Max)150 ℃耗散功率(Max)2.25 kW封装参数安装方式PCB引脚数29封装M629外形尺寸长度162 mm宽度150 mm高度17 mm封装M629其他产品生...

X0202MN5BA4 星河微静电保护管
X0202MN5BA4 星河微静电保护管
  • 产品类型：

    其他

  • 品牌：

    STM

  • 型号：

    X0202MN5BA4

  • 封装：

    SOT223

  • 工作温度范围：

    5

  • 批号：

    09+

  • 是否跨境货源：

    否

  • 应用领域：

    汽车电子,网络通信,安防设备

*（买家必读）*各位买家朋友，由于电子流动性快,消费类产品单价均有上涨或下调,有时候或许单价没有及时更新,请广大客户朋友谅解,详细情况请在拍下前与店主详谈。买家朋友在购买时请先...

Advanced Semiconductor射频(RF)晶体管MRF555T SD1485 立即发货
Advanced Semiconductor射频(RF)晶体管MRF555T SD1485 立即发货
  • 型号/规格：

    BLX15 MRF141G

  • 品牌/商标：

    Advanced Semiconductor, Inc.

  • 类型:：

    RF Power MOSFET

  • 工作温度:：

    + 200 C

  • 工作温度:：

    - 65 C

  • 商标:：

    Advanced Semiconductor, Inc.

Advanced Semiconductor射频(RF)晶体管 1pcs起订.我们承诺：“所有产品均为原厂新品，100%保证质量！30天内有任何质量问题随时包退换！”我们实践自己的承诺，为自己的所有行动和结果...

模数转换器ADCAD977ARZ-REEL
模数转换器ADCAD977ARZ-REEL
  • 型号/规格：

    AD977ARZ-REEL

  • 品牌/商标：

    AD

  • 封装：

    SOP

  • 年份：

    19+

  • 工作温度：

    - 40 C

  • 工作温度：

    + 85 C

  • DNL - 微分非线性：

    +/- 3 LSB

  • INL - 积分非线性：

    +/- 3 LSB

AD977ARZ-REEL 制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列: AD977 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-20 分辨率: 16 bit 通道数量: 1 Channel ...

CRG40T65RK5SDZ
CRG40T65RK5SDZ
  • 型号/规格：

    CRG40T65RK5SDZ

  • 品牌/商标：

    CRMICRO华润微

  • VCES：

    650V

  • IC：

    40A

  • VCE(sat)：

    1.65V

华润微电子（CRMICRO）是国内功率半导体IDM厂商，其IGBT产品覆盖600V至1350V电压、数安培至数百安培电流范围，已演进至第七代微沟槽场截止技术，具有低饱和压降、低开关损耗和高功率...

士兰微 IGBT管 SGT75T65SDM1P7 TO-247
士兰微 IGBT管 SGT75T65SDM1P7 TO-247
  • 型号/规格：

    SGT75T65SDM1P7

  • 品牌/商标：

    士兰微

  • 封装：

    TO-247-3L

  • 参数：

    75A 650V

  • 包装方式：

    料管

  • 环保等级：

    无铅

SGT75T65SDM1P7描述SGT75T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop Ⅲ）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域...

T405-600B-TR ST意法 DPAK 集成电路
T405-600B-TR ST意法 DPAK 集成电路
  • 型号/规格：

    T405-600B-TR

  • 品牌/商标：

    ST意法

  • 封装：

    DPAK

  • 产品类型：

    双向可控硅

  • 交易说明：

    原装现货

如需规格书产品完整资料，请联系我们销售团队!<span style="font-family: " microsoft="" yahei";="" font...

2P4M TO-92可控硅 YFW佑风微
2P4M TO-92可控硅 YFW佑风微
  • 型号/规格：

    2P4M

  • 品牌/商标：

    YFW(佑风微)

  • 封装：

    TO-92

  • TJ：

    -40~+110℃

  • ITSM：

    20A

  • IGM：

    0.2A

2P4M TO-92可控硅 YFW佑风微 8.0~10.0 Ampere / DO-27(DO-201AD) TYPE I(AV) VRRM IFSM VFM I RM @ VRRM trr Pafckage Outline @IRM VFM I(AV) TA=25℃ A V A V A μA nS SR84E 8.0 4...

EVQ-11L09K触摸开关集成电路
EVQ-11L09K触摸开关集成电路
  • 型号/规格：

    EVQ-11L09K

  • 品牌/商标：

    Panasonic

  • 零件状态：

    最後搶購

  • 不同电压时的触头额定电流：

    0.02A @ 15VDC

  • 致动器 PCB 高度，垂直：

    9.50mm

  • 端子类型：

    PC 引脚

  • 照明：

    不发光

EVQ-11L09K触摸开关集成电路 EVQ-11L09K触摸开关集成电路 EVQ-11L09K触摸开关集成电路 Panasonic - Panasonic Industrial Devices Sales Company of America 是 Panasonic Corporatio...

BTA08-800CW Littelfuse(美国力特)晶闸管(可控硅)/模块
BTA08-800CW Littelfuse(美国力特)晶闸管(可控硅)/模块
  • 型号/规格：

    BTA08-800CW

  • 品牌/商标：

    Littelfuse(美国力特)

  • 封装：

    TO-220(TO-220-3)

  • 年份：

    新年份

供应BTA08-800CW Littelfuse(美国力特)晶闸管(可控硅)/模块产品属性 产品属性属性值选择属性 制造商: Littelfuse 产品种类: 双向可控硅 RoHS: 详细信息 系列: BTA08-800CW 不重复通态电流: 90 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 800 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM ...

SOT223 35AB L52B 6CWQ06FN
SOT223 35AB L52B 6CWQ06FN
  • 型号/规格：

    6CWQ06FN

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

质量检测方案编辑 (a)测量极间电阻。将万用表置于R&#215;100或R&#215;1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)贴片三...

BTA100-1600B 100A1600V 双向可控硅
BTA100-1600B 100A1600V 双向可控硅
  • 型号/规格：

    BTA100-1600B

  • 品牌/商标：

    HSDQ

  • 电压：

    1600V

  • 电流：

    100A

  • 封装：

    TO-4PL

产品信息：供应BTA100-1600B 100A1600V 双向可控硅 HSDQ原厂原装产品型号BTA100-1600B产品品牌HSDQ产品封装TO-4PL产品质量原装产品参数100A/1600V产品包装15个/管 600个/盒产品图片：...

BT134S 双向可控硅 BT134S-600E 4A600V 晶闸管
BT134S 双向可控硅 BT134S-600E 4A600V 晶闸管
  • 型号/规格：

    BT134S-600E

  • 品牌/商标：

    NXP

  • 封装：

    TO-252

  • 安装方式：

    贴片式

深圳市亿科泰电子有限公司成立于2012年，致力于功率半导体器件的生产与销售。主要产品为：可控硅、MOS场效应管、肖特基二极管、快恢复二极管、三端稳压管。 提供的产品广泛应用于开关电源、液晶电视、充电器、绿色能源、马达驱动、便携式多媒体、LED照明、航...

厂家直销 可控硅 MAC97A6 TO-92双向可控硅
厂家直销 可控硅 MAC97A6 TO-92双向可控硅
  • 型号/规格：

    MAC97A6

  • 品牌/商标：

    国产

  • 封装：

    TO-92

  • 电流：

    0.8A

MAC97A6系列双向可控硅 概述 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来...

三菱CM150E3U-12H价格,厂家,图片,绝缘栅双极晶体管/IGBT
三菱CM150E3U-12H价格,厂家,图片,绝缘栅双极晶体管/IGBT
  • 型号/规格：

    CM150E3U-12H

  • 品牌/商标：

    三菱

类别：半导体模块 家庭：IGBT 系列：IGBTMOD&amp;#8482; IGBT 类型：- 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（）：600V Vge, Ic时的Vce（开）：3V @ 15V，150A 电流 - 集电极 (Ic)（）：150A 电流 - 集电极截止（）：1mA Vce 时的输入电容 (Cies)：13.2nF @ 10V 功率 - ：600W 输入：标准型 NTC 热敏电阻：无 安装类型：...

IGBT模块 F3L150R07W2E3_B11 F3L150R07W2E3B11BOMA1
IGBT模块 F3L150R07W2E3_B11 F3L150R07W2E3B11BOMA1
  • 型号/规格：

    F3L150R07W2E3_B11

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 品类：

    IGBT模块

  • 包装：

    15

F3L150R07W2E3_B11650 V 150 A 三电平 IGBT模块EasyPACK? 2B 650V 150 A 三级相位支路 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT、第三代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。特征描述：阻断电压能力提高，650 V低电感设计低开关损耗低 VCEsat低热阻A...

INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
  • 型号/规格：

    BSM35GP120

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

全新原装，公司现货。 BSM35GP120 参数： 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 否 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.4 V 在25 C的连续集电极电流: 45 A 栅极—射极漏泄电流: 300 nA 功率耗散: 230 W 工作温度: + 125 C 栅极/发射极电压: +/- 20 V 工...

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