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NXP(恩智浦)
UPAK-3
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制造商: Nexperia 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: UPAK-3 晶体管极性: PNP 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 30 V 集电极—基极...
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NXP(恩智浦)
SOT23-3
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中功率
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制造商: NXP 产品种类: 开关晶体管 - 偏压电阻器 RoHS: 详细信息 商标: NXP Semiconductors 配置: Single 晶体管极性: NPN 典型输入电阻器: 47 kOhms 典型电阻器比率: 1 安装风格: SM...
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CAT810RTBI-GT3
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SOT23
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硅(Si)
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飞兆半导体的功率半导体,半导体分立,模拟信号与开关,逻辑和光电产品组合提供多元化的市场和包括手机,计算机,通信,消费,能源转换,LED照明,电机控制,网络通信,工业,和应用...
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TOSHIBA(东芝)
SOT23
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S9014 J6
长电
S0T-23
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买家须知: 以上报价为批量*税报价,根据淘宝的设置特点,一个产品的一口价只能出现一个。但芯片的价格却是与采购数量相关的。当采购少量芯片时,价格会稍微高一点点;且元件更新速度...
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L7812CV
ST(意法半导体)
TO-220
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供应**原装稳压管(TI/ST/ON/FSC/NS等知名品牌) 名称:L7812CV-芯片稳压器 压降:2V 输出数:1 针脚数:3 封装类型:TO-220 工作温度范围:0°C to +150°C 封装类型:TO-...
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M*T3904
长电
SOT—23
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*现货,*无铅,大量现货,型号众多,欢迎来询!!
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M*T3904
JCST(长电)
SOT-23
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大功率
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晶体管*性:NPN 电压, Vceo:40V 截止频率 ft, 典型值:300MHz 功耗, Pd:350mW 集电*直流电流:200mA 直流电流增益 hFE:300 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:1A 功耗:350mW 器件标记:BT...
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TOSHIBA(东芝)
TO-220
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H2302N-P
HSMC
SOT23
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数据列表:H2302N-P 产品相片:SOT-23 产品目录绘图:准包装:3,000 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT)-单路 系列 - 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)():1.5A 电压 - 集电极...
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三洋
TO-252
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深圳市鸿博高科电子有限公司”创建至今,全体团队与时俱进专注于现货供应,努力完善公司的价值观,建立强大的销售平台,充满创造力的团队,实施公司的文化(库存经营、互信互惠、共同...
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国产
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我司专营的贴片,直插IC,二三*管 场效应管,可控硅,肖特基等,货源充足,品质优良,价格优势, 供应 诚信服务 大量现货 型号繁多,未能尽录,欢迎各大厂家来电垂询订购~!(价格以当天...
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供应原装ON单结晶闸管2N6028 深圳翊翔电子是一家的电子元件供应商,专向生产开关电源,UPS电源,控制器,变频器,HID,充电器,逆变器,照明,LED,工*,通信等提供相关电子元器件的销...
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L7805三端正电源电压调节器参数简介 L7805三端正电源电压调节器(双*线性稳压集成电路) 输出电流1.5A; 输出电压5V。 *限值:(Ta=25℃) 参数名称 *号 额定值 单位 输入电压 Vi 42 ...
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SOT23、SOT363、SOT143,SOT89二*管三*管PNP/NPN
NXP/ON
SOT23、SOT363、SOT143,SOT89
无铅*型
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温馨提示:公司长期供应NEC,ROHM、TOSHIBA、JRC、松下、富士2、三菱、NXP、VISHAY、HP等品牌二*管、三*管、MOS管、瞬态电压抑制二*管、开关管、晶体管、高频管、快恢复、小封装IC的...
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东芝
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光正电子也从起始定位于高品位的音响*元器件而扩展成为既面向音响DIY、又服务于音响生产企业、家电行业,电源管理,数码产品的电子*件供应商。 音响器件,主打: NJM2068D JRC DIP 郑...
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新型AEC-Q101认证的器件,采用SOP-4微型扁平封装传输5mA正向电流Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器---VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中,集成了高电流传输比(CTR)和5 mA的低正向电流。与DIP-4封装相比,节省了30%的PCB空间。 VOMA617A的设计旨在适用于各种汽车...
昨日,一则报道称“Diodes美国晶圆厂发生火灾事故,将影响全球二三极管供应链。”报道详细指出,作为全球的分立、逻辑、模拟及混合信号半导体产品的制造商和供应商的Diodes(达尔科技)位于美国密苏里州的Diodes位于美国密苏里州的Lee'sS
内部人士爆料,Diodes(达尔科技)美国一工厂因设备老化,出现冒烟起火事故。事件发生后,惊动了美国消防警报,现已被要求停产整改。爆料人士表示,火灾事故已求证过Diodes的代理商PM,并且ONSEMI也证实了消息属实。随后,小编终于在外网找到消息
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起
导读:中国、印度等新兴市场的成长将带动消费电子产品如LCDTV、笔记本电脑、台式电脑、双模数码相机(DSC)、手机,汽车电子,智能手机等终端产品需求量上升的强大助力,而3G建设等新产品新行业的的快速发展,进而带动上游半导体三极管的市场成长,给电子行
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管,以下简称晶体管。 图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。 图(a)、(b)所示为小功率管,图(c)所示为中等功率管,图(d)所示为大功率管。 图(b)(c)所...
S8050是一种常用的NPN型三极管,具有以下详细规格: 极性:NPN 封装类型:TO-92(常见的小型封装) 最大集电极电流(Ic):700mA 最大集电极-基极电压(Vceo):20V 最大功耗(Pd):625mW 最大集电极-发射极电压(Vcesat):0.5V(在Ic=50...
MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因...
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征,开关时间越短,开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程,相应地就有开启时间ton和关断时间toff,晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关...
在单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。PNP与NPN两种三极管使用方法上图中,横向左侧的引脚叫做基极b,有一个箭头的是发射极e,剩下的一个引脚就是集电极 c。首先来说一下NPN型,这种型号的三极管在用于开关状态时,大都是发射极接地,集电极接高电平,基极接控制信号。其次对于P...