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三极管

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您是不是要找: DSEI60-10A

无锡
源头工厂
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  • 型号/规格:

    2SC4131

  • 品牌/商标:

    ISC

  • 封装形式:

    TO-3PML

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    条装

无锡固电半导体股份有限公司isc是双极型晶体管、可控硅、MOSFET、肖特基和快恢复二极管、集成电路制造工厂,产品质量完全符合国际标准。公司自1991年成立,27年坚持追求高品质和自主...

  • 型号/规格:

    D209

  • 品牌/商标:

    kevin

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

【购买须知】 1、小批量与整盘价格:整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁,暂不能实时更新在线价格,购买前请务必咨询客服后,再拍产品。 2、订单金额:当前总金额低于100元的订单...

  • 型号/规格:

    13003E1D

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-92

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    小功率

  • *性:

    NPN型

联系:,: 3DD13003E1D主要运用于小功率 *灯,镇流器,电源等。 适用功率 13-17瓦。 具有稳定,*,寿命长等特点。 本公司生产的三*管、MOS管主要用于电源、*灯、整流器、LED灯等。不...

  • 应用范围:

    开关

  • 品牌/商标:

    德森克、GTVAC

  • 型号/规格:

    ZQM1-400/16脉冲氢闸流管

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    直插型

  • 集电*耗散功率PCM:

    --

  • 击穿电压VCBO:

    16000

  • 集电*允许电流ICM:

    400

ZQM1-400/16脉冲氢闸流管 ZQM1-400/16产品系旁热式氧化物阴*的中小功率的玻璃结构三*管,在*加速器中作DEQ管。 图A2电*接线 序号电*名称1阴*2热丝3阴*4栅*A阳* 图A1闸流管外形图

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    上海人民

  • 型号/规格:

    JS14A系列晶体管

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 封装形式:

    直插型

  • 集电*耗散功率PCM:

    1

  • 集电*允许电流ICM:

    1

  • *性:

    NPN型

JS14A系列时间继电器(以下简称继电器),适应于交流电压AC380V及以下,频率50Hz(或60Hz)和直流电压220V及以下的控制电路中作为时间控制元件,按预定的时间接通或分断电路。产品*合*/T10...

  • 应用范围:

    开关

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    PhGW1215DK

  • 封装形式:

    TO-247

  • 击穿电压VCBO:

    1200

  • 集电*允许电流ICM:

    15

  • 封装材料:

    树脂封装

该器件采用非穿通型正温度系数技术,更易于并联使用内置快恢复二*管低电磁干扰低开关损耗*短路能力,功率密度*率*TO-247AC封装"

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    RD

  • 型号/规格:

    2SC2314

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 集电*允许电流ICM:

    1(A)

  • 集电*耗散功率PCM:

    5(W)

无锡市瑞地微电子公司成立于2002年5月,地处风光秀丽的太湖之滨,是一家主要从事生产半导体分立器件高频三*管的化公司。 公司*坚持以诚为本,以的技术理论为基础,以市场需求为导向,...

  • 应用范围:

    开关

  • 品牌/商标:

    GTVAC

  • 型号/规格:

    GT1154D脉冲氢闸流管

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 封装形式:

    直插型

  • 集电*耗散功率PCM:

    -

  • 集电*允许电流ICM:

    3000

  • *性:

    NPN型

GT1154D脉冲氢闸流管(Hydrogen-Filled Ceramic Thyratron)主要用于大功率脉冲调制,作为磁控管的脉冲电源,应用于各种无线电设备中作脉冲开关,随着*加速器的不断推广,其应用也愈...

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 型号/规格:

    13005N8D

  • 应用范围:

    功率

无锡华晶13005N8D为TO-220封装,主要用于*灯的功率36-45瓦之间,且功率存有相当的余量。也可以联系我的 : 本公司生产的MOS管、三*管、肖特基二*管、快恢复二*管主要用于电源、*灯、整流器、LED灯等。不*提供各种不同的封装形式:TO-92,、TO-126、TO-251、TO-...

  • 品牌/商标:

    PH (NXP)

  • 型号/规格:

    BTA225B-800B

  • 封装:

    具体咨询

  • 批号:

    09

  • 制作工艺:

    半导体集成

  • 导电类型:

    双*型

  • 规格尺寸:

    18(mm)

  • 工作温度:

    -40~85(℃)

供应原装PH (NXP) BTA225B-800B原装,优势库存!电子产品价格时有波动,详情请咨询旺旺,QQ或来电!联系方式::詹先生 手 机:电 话: 传 真: E-mail::

  • 应用范围:

    开关

  • 品牌/商标:

    GTVAC、德森克

  • 型号/规格:

    VC系列

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 封装形式:

    真空

江苏中科国腾科技有限公司研发氢闸流管已经有10多年的历史,现已形成产品系列化,峰值正向阳*电压由5kV~80Kv,阳*脉冲电流由100A~15000A。江苏中科国腾科技有限公司生产的VC系列氢闸...

  • 应用范围:

    振荡

  • 品牌/商标:

    GTVAC

  • 型号/规格:

    FU-834F型和FU-834FA型

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 封装形式:

    直插型

  • 产品性质:

    *

  • 集电*耗散功率PCM:

    30000

  • 功率特性:

    大功率

FU-834F型和FU-834FA型电子管系大功率金属陶瓷三*管,直热式碳化钍钨阴*、阳*冷却为强迫风冷。阳*耗散功率为10kW,工作频率60MHz,输出功率为30kW,主要用于工业高频介质加热设备中作...

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    MJ15025

  • 应用范围:

    高反压

  • 材料:

    锗(Ge)

  • *性:

    PNP型

  • 击穿电压VCBO:

    400(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    16(A)

我公司成立于2000年。公司拥有现代化的标准厂房1000多平方米。拥有完整,科学的质量管理体系,拥有*、的检测和生产设备。产品内部空间大,可以根据客户的要求生产加工,并能提供芯片...

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    3906

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCBO:

    多种(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    多种(A)

ST三*管:[直插]TO-92、TO247,TO126、TO220、TO*封装的系列大中小功率三*管。[贴片]SOT23、SOT89、SOT363、SOT23-5等贴片封装 公司主营IC 及集成电路的设计与研发;电子产品的代理与...

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    各种规格晶体管

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    PNP型

  • 击穿电压VCBO:

    30-600(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    1-15(A)

  • 集电*耗散功率PCM:

    5-200(W)

用于*灯、电子镇流器、手机充电器等,具体面议,请有意者前来洽谈!我厂是生产和销售硅NPN、PNP型功率晶体管、快恢复、肖特基二*管、场效应管等系列的中型企业。十余年来,我们竭力*&...

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    YR

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 集电*允许电流ICM:

    1(A)

  • 集电*耗散功率PCM:

    1(W)

  • 截止频率fT:

    1(MHz)

13001TO-92华晶芯片0.65*0.6513001 华晶芯片0.65*0.6513002 华晶芯片0.83*0.8313002 华晶芯片0.83*0.8313003 华晶芯片1.18*1.1813003 华晶芯片1.34*1.3413003 华晶芯片1.42*1.4213003...

  • 无锡亚伦科技有限公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:86 510 68937001

    手机:13951562276

    品牌:WXDH型号:BU406T,BU508应用范围:功率功率特性:*率频率特性:高频*性:NPN型结构:点接触型材料:硅(Si)封装形式:直插型封装材料:塑料封装截止频率fT:50(MHz) 集电*允许电流ICM:8(A) 集电*耗散功率PCM:80(W) 营销方式:*产品性质:* 供应三*管BU406T,BU508,供应三*管BU406,BU406T,BU406TU,供应三*管BU...

    • 应用范围:

      放大

    • 品牌/商标:

      国产

    • 型号/规格:

      2SC2078

    买家需知:◇◆鉴于电子元件的*性,价格只是一种形式,拍前请先询问是否现货以及价格,量多价更优!◇◆ 电子元件属精密技术类产品,本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,可能导致参数与性能的差异,如有不慎,将会导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一...

    • **:

    • 品牌/商标:

      州禾

    • 型号/规格:

      M*T5551 G1

    • 应用范围:

      放大

    • 材料:

      硅(Si)

    • *性:

      NPN型

    • 击穿电压VCEO:

      160(V)

    • 集电*允许电流ICM:

      0.6(A)

    江阴市州禾电子科技有限公司位于江苏省江阴市,经济发达,配套资源*的长江三角洲经济开发圈内,交通便利,区位优势明显,南北走向的S19(锡通*)和东西走向的S38(沿江*)穿越顾山镇且...

    • 加工定制:

    • 品牌/商标:

      CREE/科锐

    • 型号/规格:

      S8050

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      硅(Si)

    • *性:

      NPN型

    • 击穿电压VCEO:

      100(V)

    • 集电*允许电流ICM:

      2(A)

    本公司诚接配套业务经营范围如下:配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*,价格优惠。*: : 何先生,陈 【运费说明】★方案1:顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

    • 陈淑青
    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:江苏无锡
    • 电话:86 0510 82264488

      手机:13914246839

    三极管行业资讯

    • Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器[2018-05-30]

      新型AEC-Q101认证的器件,采用SOP-4微型扁平封装传输5mA正向电流Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器---VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中,集成了高电流传输比(CTR)和5 mA的低正向电流。与DIP-4封装相比,节省了30%的PCB空间。 VOMA617A的设计旨在适用于各种汽车...

    • 一家晶圆厂起火影响二三极管供应链?[2016-12-16]

      昨日,一则报道称“Diodes美国晶圆厂发生火灾事故,将影响全球二三极管供应链。”报道详细指出,作为全球的分立、逻辑、模拟及混合信号半导体产品的制造商和供应商的Diodes(达尔科技)位于美国密苏里州的Diodes位于美国密苏里州的Lee'sS

    • Diodes美国晶圆厂发火灾,或影响二三极管供应[2016-12-15]

      内部人士爆料,Diodes(达尔科技)美国一工厂因设备老化,出现冒烟起火事故。事件发生后,惊动了美国消防警报,现已被要求停产整改。爆料人士表示,火灾事故已求证过Diodes的代理商PM,并且ONSEMI也证实了消息属实。随后,小编终于在外网找到消息

    • 半导体三极管的主要参数[2013-01-08]

      半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起

    • 浅谈半导体三极管技术参数分析[2012-12-31]

      导读:中国、印度等新兴市场的成长将带动消费电子产品如LCDTV、笔记本电脑、台式电脑、双模数码相机(DSC)、手机,汽车电子,智能手机等终端产品需求量上升的强大助力,而3G建设等新产品新行业的的快速发展,进而带动上游半导体三极管的市场成长,给电子行

    什么是三极管?

    •   三极管是一种半导体电子器件,有3个引脚,晶体三极管分别为集电极(c),基极(b),发射极(e),电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。能够把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也称双极型晶体管,晶体三极管。
    • 三极管

    三极管技术资料

    • 晶体三极管的结构和晶体管电流放大作用[2024-01-12]

      晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管,以下简称晶体管。  图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。  图(a)、(b)所示为小功率管,图(c)所示为中等功率管,图(d)所示为大功率管。  图(b)(c)所...

    • S8050三极管的参数及引脚图,好坏判断的方法及可代替的型号[2024-01-05]

      S8050是一种常用的NPN型三极管,具有以下详细规格:  极性:NPN  封装类型:TO-92(常见的小型封装)  最大集电极电流(Ic):700mA  最大集电极-基极电压(Vceo):20V  最大功耗(Pd):625mW  最大集电极-发射极电压(Vcesat):0.5V(在Ic=50...

    • 三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds?[2023-08-31]

      MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因...

    • 分析三极管的开关速度由什么决定[2023-05-22]

      晶体管的开关速度即由其开关时间来表征,开关时间越短,开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程,相应地就有开启时间ton和关断时间toff,晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关...

    • 这两种PNP与NPN三极管使用方法你知道吗?[2023-05-20]

      在单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。PNP与NPN两种三极管使用方法上图中,横向左侧的引脚叫做基极b,有一个箭头的是发射极e,剩下的一个引脚就是集电极 c。首先来说一下NPN型,这种型号的三极管在用于开关状态时,大都是发射极接地,集电极接高电平,基极接控制信号。其次对于P...

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