特点
·*通态电阻：
的RDS（on）1 =14MW MAX。 （VGS=10 V，ID=40 A）
的RDS（on）2=22MW MAX。 （VGS=4.0 V，ID=40 A）
·低CISS：西斯= 3200 pF（典型值）。
·内置栅*保护二*管
*对*大额定值（TA= 25°C）
漏*至源*电压VDSS60 V
栅*源*电压VGSS±20 V
漏电流（DC）ID（DC）±80
漏*电流（脉冲）注ID（脉冲）±320 A
总功率耗散（TC=25°C）PT84瓦
总功率耗散（TA= 25°C）PT1.5 W
沟道温度Tch150°C
存储温度Tstg-55到+150°C
单雪崩电流注2国际会计准则第31 A
单注2雪崩能量EAS96 MJ
注：1。 PW£10毫秒，占空比£1％
2。 TCH=25°C，RG=25 W，VGS= 20 V®0 V开始
热阻
通道RTH（CH-C）1.49°C / W
通道环境RTH（CH-A）83.3°C / W

FEATUR*
· Super low on-state resistance:
RDS(on)1 = 14mW MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
RDS(on)2 = 22mW MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 40 A)
· Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP.
· Built-in gate protection diode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Drain to Source Voltage VDSS 60 V
Gate to Source Voltage VGSS ±20 V
Drain Current (DC) ID(DC) ±80 A
Drain Current (pulse) Note1 ID(pulse) ±320 A
Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT 84 W
Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT 1.5 W
Channel Temperature Tch 150 °C
Storage Temperature Tstg –55 to +150 °C
Single Avalanche Current Note2 IAS 31 A
Single Avalanche Energy Note2 EAS 96 mJ
Notes 1. PW £ 10 ms, Duty cycle £ 1 %
2. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 W, VGS = 20 V ® 0 V
THERMAL R*ISTANCE
Channel to Case Rth(ch-C) 1.49 °C/W
Channel to Ambient Rth(ch-A) 83.3 °C/W

 

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