FDC638P
ST(意法半导体)
SOT23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
FDC638P
CJ
电话:0755-82531233
手机:13544236333
AOT474
AOS
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
小功率
低频
电话:0755-83348721
手机:13534025011
FHP840
韩国飞虹
TO-220
无铅环保型
直插式
管装 50个/管
电话:020-62794050
手机:13763389692
HA/DG210N06
华晶
TO247
无铅环保型
直插式
管装
超大功率
超高频
电话:0755-88608384
手机:13418661006
IRF640
IR
TO-220
普通型
直插式
袋装
中功率
电话:0755-82727241
手机:13353098703
IRFB3207
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
中频
手机:13192369995
P-DIT/塑料双列直插
IRF2807
N-FET硅N沟道
V-FET/V型槽MOS
IR/国际整流器
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0754-84445483
手机:13829593988
贴片型
SI2302 A2SHB SOT-23
长电
硅(Si)
放大
电话:0755-27771457
手机:13510920408
SI2302
Vishay(威世)
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-83229437
手机:15989333262
Vishay/威世通
IRF9640PBF
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:13534091654
SAM韩国三星
SSR2955
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
电话:86075583013528
HVVi推出高频高电压垂直场效应三极管HVVi半导体推出高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利
现行有两种命名方法。种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三
瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET)(注1),具有如下的特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏
HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的