是
ISC
2SA764
放大
硅(Si)
PNP型
平面型
直插型
金属封装
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：阚丹丹
QQ： 
微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
∟ 功率三极管(87)∟ 开关三极管(2)∟ 低噪声三极管(74)∟ 复合(达林顿)三极管(6)∟ 其他三极管(3)
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -60V(Min)
·LowCollector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 4A
·Complement to Type 2SC1444
APPLICATIONS
·Designed for general purpose power amplifier applications
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | -60 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | -60 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | -6 | V |
IC | Collector Current-Continuous | -6 | A |
PC | Total Power Dissipation @ TC=25℃ | 40 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -55~150 | ℃ |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃unless otherwise specified
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | TYP. | MAX | UNIT |
V(BR)CEO | Collector-Emitter Breakdown Voltage | IC= -10mA; IB= 0 | -60 |
|
| V |
V(BR)CBO | Collector-BaseBreakdownVoltage | IC= -1mA; IE= 0 | -60 |
|
| V |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= -4A; IB= -0.4A |
|
| -1.5 | V |
VBE(sat) | Base-Emitter Saturation Voltage | IC= -4A; IB= -0.4A |
|
| -2.0 | V |
ICBO | Collector Cutoff Current | VCB= -60V; IE= 0 |
|
| -10 | μA |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= -6V; IC= 0 |
|
| -10 | μA |
hFE | DC Current Gain | IC= -1A; VCE= -4V | 50 |
|
|
|
fT | Current-Gain—Bandwidth Product | IC= -0.5A; VCE= -12V |
| 10 |
| MHz |
"
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：阚丹丹
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邮箱：mdc@iscsemi.com
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