共同属性 [ 产品名称 ] :N沟道硅功率MOS场效应管 [ 型号 ] :2SKV 9A 95W [ 工作温度 ] :-55.00 Cel to 150.00 Cel [ 品牌 ] :富士*属性 [ 漏-源击穿电压 ] :900 V [ 栅-源击穿电压 ] :3.0 V ~
5.0 V [ 漏**大直流电流 ] :-9 A ~ 9 A [ 功耗 ] :95 W [ 栅**大直流电流 ] :100 nA [ 通态漏-源直流电阻 ] :1.58 Ohm [ 共源*小信号正向跨导 ] :5 S [ 短路输入电容量 ] :1650 pF [ 结-壳热阻 ] :58 Cel/W [ 电流导通延迟时间 ] :38 ns [ 电流上升时间 ] :18 ns [ 电流关断延迟时间 ] :75 ns [ 输出下降时间 ] :18 ns

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