JT020N120WCD

型号/规格：
JT020N120WCD
品牌/商标：
华微电子
封装形式：
TO-247 TO-*B
*类别：
普通型
安装方式：
直插式
包装方式：
条管

发布询价信息

普通会员

企业名：吉林华微电子股份有限公司

类型：生产企业

电话： 400-701-2525
0432-64675688

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联系人：张守启/高爽

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地址：吉林吉林吉林省吉林市深圳街99号

产品分类

新品上架

商品信息 更新时间：2013-10-16

华微电子原厂长期供应MOS ,三*管，肖特基，FRD 分立器件

型号：JT020N120WCD、JT020N120ABC

无卤素：有卤

用途：1.逆变器

2.电磁炉

3.UPS 电源

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

联系方式

企业名：吉林华微电子股份有限公司

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