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IGBT缓冲保护电容器（方形焊片式）

型号/规格：
0.47UF/2000V
品牌/商标：
DAWN
*类别：
无铅*型
安装方式：
直插式
包装方式：
单件包装
产品主要用途：
工业电力电气设备
引出线类型：
径向焊片/焊针型
特征：
方型
标称容量范围：
0.1-4.7uf
额定电压范围：
250-3000V
温度系数范围：
+/-85℃

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳天明伟业电子

类型：生产企业

电话： 0755-15814017864

手机：15814017864

联系人：张先生

QQ：

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地址：广东深圳深圳宝安龙华宇丰城工业区

产品分类

电容器(11)
∟ 安规电容(2)∟ 高压电容(2)∟ 聚丙烯(CBB)电容(2)∟ 无感电容(1)∟ 校正电容器(2)∟ 其他电容(2)

新品上架

商品信息

MKP -BN/BL IGBT 缓冲电容器技术规范

额定电压(Un / URMS)

VDC	630	850	1000	1200	1600	2000
VAC	275	450	500	550	600	750

额定电容量(Cn)

0.10μF to 4.7 μF

容量偏差

J（+/-5%）或 K（+/- 10%）, @ 1kHz, +25°C

工作温度范围

-40 ℃ ~ +85 ℃

损耗因子(DF)

Cn≤1μF: ≤0.04%; Cn>1μF: ≤0.06%, @ 1kHz, +25°C

*缘电阻(IR)

IR >30,000MΩ x μF (或不少于 30,000MΩ)
@+25°C(<70% RH) 测试电压100VDC,保持时间1分钟.

*大电压上升速率 (dv/dt)

参考技术数据表 +25℃

*大峰值电流 - IPEAK
(不可重复的)

IPEAK =C×dv/dt

*大额定电流.(In)

参考技术数据表 @100KHZ, +70℃

*大等效串联电阻(*R)

参考技术数据表 +25℃

介质电压强度

引出电*间施加200% 的VDC额定电压, 10 sec.+ 25°C.
引出电*与外壳之间施加3KVAC 50/60Hz, 2 sec.

容量漂移

<1.0% 在40°C 下, 时间两年.

温度系数

-200ppm/°C +/- 100ppm/°C

预期寿命

≥ 30,000 小时 @VAC at 70°C

容量变化

(典型值) -5% ≥100,000小时 @WVDC at +70°C

失效范围

300/109

介质材料

聚丙烯薄膜-真空蒸镀金属层电*

结构

双面金属化薄膜,内串结构

引出端

铜镀锡 N 或 L型引出端，镀锡铜线(Ф0.8~1.5)

密封

阻燃塑胶外壳 (UL 94V-0)和阻燃环氧树酯填充 (UL 94V-0)

MKP-IGBT-I

MKP-IGBT-N

MKP-IGBT-630V-BN/BL 0.33 ~ 4.7 MFD

電容器代號	C	Un	U_RMS	dv/dt	I_PEAK	*R max @ 100 kHz	I_RMS 100KHz @ 70°C	DIMENSIONS (mm)
電容器代號	μF	Vdc	Vac	V/μs	A	mΩ	A	W	H	T	P
MKP-IGBT334K630V	0.33	630	275	550	181	8.0	7.1	40	31	22	23~25
MKP-IGBT474K630V	0.47	630	275	550	258	8.0	7.8	40	31	22	23~25
MKP-IGBT684K630V	0.68	630	275	550	374	8.0	9.0	40	31	22	23~25
MKP-IGBT105K630V	1.0	630	275	550	550	7.5	9.5	42	35	22	23~25
MKP-IGBT125K630V	1.2	630	275	350	420	7.5	9.9	50	37	24	23~28
MKP-IGBT155K630V	1.5	630	275	350	525	7.0	10.9	50	37	24	23~28
MKP-IGBT205K630V	2.0	630	275	350	700	6.5	12.3	50	43	30	23~28
MKP-IGBT225K630V	2.2	630	275	350	770	6.5	12.8	50	43	30	23~28
MKP-IGBT255K630V	2.5	630	275	350	875	6.0	13.3	50	43	30	23~28
MKP-IGBT305K630V	3.0	630	275	300	900	6.0	14.5	58	45	30	23~40
MKP-IGBT335K630V	3.3	630	275	300	990	6.0	15.5	58	50	35	23~40
MKP-IGBT405K630V	4.0	630	275	300	1200	5.5	16.8	58	50	35	23~40
MKP-IGBT455K630V	4.5	630	275	300	1350	5.5	18.8	58	50	35	23~40
MKP-IGBT475K630V	4.7	630	275	300	1410	5.0	19.1	58	50	35	23~40

MKP-IGBT-850V-BN/BL 0.33 ~ 3.3MFD

電容器代號	C	Un	U_RMS	dv/dt	I_PEAK	*R max @ 100 kHz	I_RMS 100KHz @ 70°C	DIMENSIONS (mm)
電容器代號	μF	Vdc	Vac	V/μs	A	mΩ	A	W	H	T	P
MKP-IGBT334K850V	0.33	850	450	650	215	7.5	7.6	40	31	22	23~25
MKP-IGBT474K850V	0.47	850	450	650	305	7.5	8.6	40	31	22	23~25
MKP-IGBT684K850V	0.68	850	450	650	442	7.0	10.0	42	35	22	23~25
MKP-IGBT105K850V	1.0	850	450	380	380	6.0	10.5	50	37	24	23~28
MKP-IGBT125K850V	1.2	850	450	380	456	6.0	11.0	50	37	24	23~28
MKP-IGBT155K850V	1.5	850	450	380	570	6.0	12.1	50	43	30	23~28
MKP-IGBT205K850V	2.0	850	450	380	760	5.5	13.9	50	43	30	23~28
MKP-IGBT225K850V	2.2	850	450	345	759	5.5	14.5	58	45	30	23~40
MKP-IGBT255K850V	2.5	850	450	345	862	5.5	15.2	58	45	30	23~40
MKP-IGBT305K850V	3.0	850	450	345	1035	5.0	16.3	58	50	35	23~40
MKP-IGBT335K850V	3.3	850	450	345	1138	5.0	17.5	58	50	35	23~40

MKP-IGBT-1000V-BN/BL 0.33 ~ 2.7 MFD

電容器代號	C	Un	U_RMS	dv/dt	I_PEAK	*R max @ 100 kHz	I_RMS 100KHz @ 70°C	DIMENSIONS (mm)
電容器代號	μF	Vdc	Vac	V/μs	A	mΩ	A	W	H	T	P
MKP-IGBT334K1000V	0.33	1000	500	750	248	7.5	8.9	40	31	22	23~25
MKP-IGBT474K1000V	0.47	1000	500	750	352	7.5	10.2	42	35	25	23~25
MKP-IGBT684K1000V	0.68	1000	500	450	306	6.5	11.8	50	37	24	23~28
MKP-IGBT105K1000V	1.0	1000	500	450	450	5.5	12.0	50	43	30	23~28
MKP-IGBT125K1000V	1.2	1000	500	450	540	5.5	12.9	50	43	30	23~28
MKP-IGBT155K1000V	1.5	1000	500	450	675	5.5	14.3	50	43	30	23~28
MKP-IGBT205K1000V	2.0	1000	500	380	760	5.0	16.3	58	45	30	23~40
MKP-IGBT225K1000V	2.2	1000	500	380	836	5.0	17.0	58	50	35	23~40
MKP-IGBT255K1000V	2.5	1000	500	380	950	5.0	17.9	58	50	35	23~40
MKP-IGBT275K1000V	2.7	1000	500	380	1026	5.0	18.8	58	50	35	23~40

MKP-IGBT-1200V-BN/BL 0.22 ~ 2.2 MFD

電容器代號	C	Un	U_RMS	dv/dt	I_PEAK	*R max @ 100 kHz	I_RMS 100KHz @ 70°C	DIMENSIONS (mm)
電容器代號	μF	Vdc	Vac	V/μs	A	mΩ	A	W	H	T	P
MKP-IGBT334K1200V	0.22	1200	550	850	187	7.5	8.2	40	31	22	23~25
MKP-IGBT334K1200V	0.33	1200	550	850	280	7.5	9.5	42	35	25	23~25
MKP-IGBT474K1200V	0.47	1200	550	550	258	7.0	11.1	50	37	24	23~28
MKP-IGBT684K1200V	0.68	1200	550	550	374	7.0	12.0	50	37	24	23~28
MKP-IGBT105K1200V	1.0	1200	550	550	550	6.0	13.2	50	43	30	23~28
MKP-IGBT125K1200V	1.2	1200	550	550	660	6.0	14.4	50	43	30	23~28
MKP-IGBT155K1200V	1.5	1200	550	420	630	5.0	16.0	58	45	30	23~40
MKP-IGBT205K1200V	2.0	1200	550	420	840	5.0	18.0	58	45	30	23~40
MKP-IGBT225K1200V	2.2	1200	550	420	924	5.0	18.5	58	50	35	23~40

MKP-IGBT-1600V-BN/BL 0.10 ~ 1.5 MFD

電容器代號	C	Un	U_RMS	dv/dt	I_PEAK	*R max @ 100 kHz	I_RMS 100KHz @ 70°C	DIMENSIONS (mm)
電容器代號	μF	Vdc	Vac	V/μs	A	mΩ	A	W	H	T	P
MKP-IGBT104K1600V	0.10	1600	600	1100	110	7.5	8.2	40	31	22	23~25
MKP-IGBT154K1600V	0.15	1600	600	1100	165	7.5	8.8	40	31	22	23~25
MKP-IGBT224K1600V	0.22	1600	600	1100	242	7.0	9.2	42	35	25	23~25
MKP-IGBT334K1600V	0.33	1600	600	700	231	7.0	9.8	50	37	24	23~28
MKP-IGBT474K1600V	0.47	1600	600	700	329	6.5	10.8	50	37	24	23~28
MKP-IGBT684K1600V	0.68	1600	600	700	476	6.5	12.3	50	43	30	23~28
MKP-IGBT105K1600V	1.0	1600	600	480	480	5.5	15.2	58	45	30	23~40
MKP-IGBT125K1600V	1.2	1600	600	480	576	5.5	16.0	58	50	35	23~40
MKP-IGBT155K1600V	1.5	1600	600	480	720	5.0	18.0	58	50	35	23~40

MKP-IGBT-2000V-BN/BL 0.10 ~ 1.0 MFD

電容器代號	C	Un	U_RMS	dv/dt	I_PEAK	*R max @ 100 kHz	I_RMS 100KHz @ 70°C	DIMENSIONS (mm)
電容器代號	μF	Vdc	Vac	V/μs	A	mΩ	A	W	H	T	P
MKP-IGBT104K2000V	0.10	2000	750	1450	145	7.0	8.3	40	31	22	23~25
MKP-IGBT154K2000V	0.15	2000	750	1450	217	7.0	8.8	40	35	25	23~25
MKP-IGBT224K2000V	0.22	2000	750	850	187	7.0	9.0	50	37	24	23~28
MKP-IGBT334K2000V	0.33	2000	750	850	280	6.5	11.2	50	37	24	23~28
MKP-IGBT474K2000V	0.47	2000	750	850	399	6.0	11.8	50	43	30	23~28
MKP-IGBT564K2000V	0.56	2000	750	850	476	6.0	12.8	50	43	30	23~28
MKP-IGBT684K2000V	0.68	2000	750	580	395	5.0	13.9	58	45	30	23~40
MKP-IGBT105K2000V	1.0	2000	750	580	580	5.0	16.5	58	50	35	23~40