74HC595PW 自家现货 DPF资料

74HC595PW 自家现货 DPF资料

特性

8位串行输入

8位串行或并行输出

存储寄存器与3状态输出

移位寄存器直接明确

100 MHz(典型的)移出频率

ESD保护:

EIA / JESD22-A114-A HBM超过2000 V

毫米/ JESD22-A115-A环评超过200 V。

应用

串并联数据转换

远程控制保持寄存器。

描述

74 hc / HCT595是高速硅栅CMOS设备

和是销兼容低功率肖特基TTL

(LSTTL)。他们是指定的符合JEDEC

标准没有。7一个。

74 hc / HCT595是一个8阶段串行移位寄存器和一个

存储寄存器和3状态输出。移位寄存器和

存储寄存器有单独的时钟。

数据是在正向的转移的过渡

sh cp输入。每个寄存器中的数据转移到

存储寄存器在正向的转型

圣cp输入。如果两个时钟连在一起,

移位寄存器将永远是一个时钟脉冲领先

存储寄存器。

移位寄存器有串行输入(DS)和一个串行

标准输出(Q7”)为层叠。它还提供了

与异步复位(活跃的低),为所有8转变

注册阶段。存储寄存器有8平行3状态

总线驱动输出。数据在存储寄存器出现在

只要允许输出的输出输入(OE)很低。

1。CPD是用来确定动态功耗(PD在μW)。

VCC2××PD = CPD fi

×N Σ(CL××VCC2 fo)地点:

FI

=输入频率在兆赫;

fo =输出频率在兆赫;

CL =输出负载电容在pF;

VCC =电源电压的电压;

N =总负载切换输出;

Σ(CL××VCC2 fo)=输出之和。

2。74 hc595条件VI =接地,VCC。

74 hct595条件VI =?1.5 V,VCC接地。

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