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IXFH26N60Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 IXYS

IXFH26N60Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 IXYS
IXFH26N60Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 IXYS
普通会员
商品信息 更新时间:2012-12-14

晶体管*性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:26A
  • 电压, Vds *大:600V
  • 在电阻RDS(上):250mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 功耗, Pd:360W
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:360W
  • 功耗:360W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
  • 封装类型:TO-247
  • 时间, trr 典型值:250ns
  • 晶体管数:1
  • *大重复雪崩能量 Ear:45mJ
  • 栅*电荷 Qg N沟道:150nC
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏*电流, Id *大值:26A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电压, Vgs *高:20V
  • 电压变化率 dv/dt:5Vns
  • 电流, Idm 脉冲:104A
  • 结温, Tj :-55°C
  • 结温, Tj *高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on *大:250mohm
  • 重量:6g
  • 阈值电压, Vgs th *高:4.5V
"

联系方式

企业名:北京天阳诚业科贸有限公司上海分公司

类型:经销商

电话: 021-51611471

联系人:丁小姐

邮箱:angela@tycelec.com

地址:上海上海市闸北区海宁路1399号

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