1、*合半导体材料电阻率的国际及*标准测试方法。
2、测量厚度大于4倍探针间距的硅晶体，也可测量薄硅片电阻率及方阻。
3、电阻率测量范围复盖*常用的区段：0.01—199.9Ω·cm。
方块电阻测量范围复盖*常用的区段：0.1—1999Ω/□。
4、配置*恒流源，测量电流稳定，分两档：1mA、10mA，每档均可在大范围内调节（1mA：0.1—1mA；10mA：1mA—10mA）。
5、测量精度高：电器测量精度*0.3%；
整机测量误差：测量1-100Ω·cm的标准硅片误差≤&plu*n;3%。
测量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的标准硅片误差≤&plu*n;5%。
6、重量轻，约2.5kg；体积小：240×210×100（mm）。
7、可配用多种探针间距的四探针头：1.00mm、1.59mm。
