1、*合半导体材料电阻率的国际及*标准测试方法。
2、测量厚度大于4倍探针间距的硅晶体,也可测量薄硅片电阻率及方阻。
3、电阻率测量范围复盖*常用的区段:0.01—199.9Ω·cm。
方块电阻测量范围复盖*常用的区段:0.1—1999Ω/□。
4、配置*恒流源,测量电流稳定,分两档:1mA、10mA,每档均可在大范围内调节(1mA:0.1—1mA;10mA:1mA—10mA)。
5、测量精度高:电器测量精度*0.3%;
整机测量误差:测量1-100Ω·cm的标准硅片误差≤&plu*n;3%。
测量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的标准硅片误差≤&plu*n;5%。
6、重量轻,约2.5kg;体积小:240×210×100(mm)。
7、可配用多种探针间距的四探针头:1.00mm、1.59mm。