性能指标

*号

*小

典型参数

*大

单位

条件/备注

频率范围

F

10

100

200

MHz

工作温度

Ta

见表2

℃

存储温度

Ts

－55

+85

℃

频率精度

&plu*n;0.2

&plu*n;0.5

&plu*n;1

ppm

+25℃&plu*n;2℃

频率温度稳定度

见表2

老化

&plu*n;0.1

&plu*n;1

ppm/year

输出形式

＋5

＋10

＋13

dBm/50W

S：SINE W*E

H：TTL/CMOS

输入电压

V_dd

A=15&plu*n;5%

B=12&plu*n;5%

C=5&plu*n;5%

D=3.3&plu*n;5%

V

输入电流

I_MAX

300

400

450

mA

V_dd＝12V

I_稳定

100

150

180

相位噪声(典型值)

10Hz

100Hz

1kHz

100kHz

100kHz

-130

-150

-160

-170

dBc/Hz

F₀＝10MHz

-90

-120

-150

-162

F₀＝100MHz

温度范围

频率温度稳定度（ppm）

A (&plu*n;0.02)

B (&plu*n;0.05)

C (&plu*n;0.1)

D (&plu*n;0.5)

A 0℃～+50℃

√

√

√

√

B -10℃～+60℃

√

√

√

√

C -20℃～+70℃

√

√

√

D -40℃～+85℃

√

√

√

E -55℃～+85℃

*定制

√

√