简介　　肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，*D是肖特基势垒二*管（SchottkyBarrierDiode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。

　　是近年来问世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千毫安。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。

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