陶瓷电容器

　　用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电*制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 　　具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。 　　低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 　　高频瓷介电容器适用于高频电路

标称电容量和允许偏差

　　标称电容量是标志在电容器上的电容量。 　　电容器的基本单位是法拉，简称法(F)，但是，这个单位太大，在实*注中很少采用。 　　其它单位关系如下： 　　1F=1000mF 　　1mF=1000μF 　　1μF=1000nF 　　1nF=1000pF 　　电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 　　精度等级与允许误差对应关系：00（01）-&plu*n;1%、0（02）-&plu*n;2%、Ⅰ-&plu*n;5%、Ⅱ-&plu*n;10%、Ⅲ-&plu*n;20%、 Ⅳ-（ 20%-10%）、Ⅴ-（ 50%-20%）、Ⅵ-（ 50%-30%）

标称电容量和允许偏差

　　标称电容量是标志在电容器上的电容量。