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HER HGL341M HGL341G *恢复二*管DO-213AA

HER HGL341M HGL341G *恢复二*管DO-213AA
HER HGL341M HGL341G *恢复二*管DO-213AA
  • 品牌/型号:

    PN/HGL341M HGL341K HGL341J HGL341G HGL341B HGL341D

  • 是否提供加工定制:

  • 产品类型:

    快恢复二*管

  • 是否*:

  • 主要参数:

    IF=1.0A 反向击穿电压大于1000V 恢复时间小于50nS

  • 用途:

    主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二*管、续流二*管或阻尼二*管使用

  • 材料:

    硅Si

普通会员
  • 企业名:湖北烨和电子科技有限公司

    类型:生产加工

    电话: 712-4767777

    联系人:李季臻

    地址:湖北孝感湖北省孝昌县经济开发区城南工业园站前二路八号

商品信息

 

SY*OL

HGL

341A

HGL

341B

HGL

341D

HGL

341G

HGL

341J

HGL

341K

HGL

341M

UNITS

*大峰值反向电压

MaximumCurrent PeakReverse Voltage

VRRM

50

100

200

400

600

800

1000

Volts

*大反向*电压

Maximum RMS Voltage

VRMS

35

70

140

280

420

560

700

Volts

*大直流阻断电压

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

50

100

200

400

600

800

1000

Volts

*大正向平均整流电流TL=55

Maximum Average Forward Rectified Current

 

 

I(*)

1.0

Amps

正向峰值浪涌电流

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Sine-wave on Rated Load (JEDEC Method)

IFSM

10

Amps

1.0A直流电时*大正向*电压降

Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop at1.0A DC

VF

1.1

1.35

1.75

Volts

*大反向漏电流

Maximum DC Reverse Current   TA=25

at Rated DC Blocking Voltage   TA=125

IR

5.0

100

uA

典型结电容

T*ical Junction Capacitance (*TE1)

CJ

15

10

pF

*大反向恢复时间

Maximum Reverse Recovery Time(*TE2)

Trr

50

75

ns

工作温度存储温度

Operating AND Storage Temperature Range

TSTG/TJ

-55 to 150

      大量供应*恢复二*管 MINI MELF  DO-213AA 封装   HGL341M    HGL341K  HGL341J    HGL341G  HGL341D    HGL341B   和 HGL34M    HGL34K  HGL34J    HGL34G  HGL34D    HGL3*

联系方式

企业名:湖北烨和电子科技有限公司

类型:生产加工

电话: 712-4767777

联系人:李季臻

地址:湖北孝感湖北省孝昌县经济开发区城南工业园站前二路八号

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