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化合物半导体
鲜黄色粉末。有α和β两种变体。面心立方晶结构,晶格常数0.536nm。密度4.613~4.9g/cm3。熔点1050~1095℃。常温下稳定,吸湿*,不溶于水
为优良催化剂,易和其他金属硫化物生成复合物,如二硫化铟银、二硫化铜铟等;均为重要的半导体材料。
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鲜黄色粉末。有α和β两种变体。面心立方晶结构,晶格常数0.536nm。密度4.613~4.9g/cm3。熔点1050~1095℃。常温下稳定,吸湿*,不溶于水和稀酸。易挥发。225℃开始氧化。生成硫化铟(InS),460℃进一步氧化生成*铟,540℃生成三氧化二铟。在微酸性溶液中由铟化物和硫化氢反应制取。为优良催化剂,易和其他金属硫化物生成复合物,如二硫化铟银、二硫化铜铟等;均为重要的半导体材料。
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