Silicon Schottky Diode
• High current rectifier Schottky diode with
   very low VF drop (t*. 0.24 V at IF = 10mA)
• For power supply applications
• For clamping and protection in
   low voltage applications
• For detection and step-up-conversion

BAT60B
*D: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
T*e Package Configuration Marking
BAT60B SOD323 single white/5
Maximum Ratings at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Value Unit
Diode reverse voltage1) VR 10 V
Forward current IF 3 A
Non-repetitive peak surge forward current
(t ≤ 10ms)
IFSM 5
Total power dissipation
TS ≤ 28°C
Ptot
1350 mW
Junction temperature Tj
150 °C
Operating temperature range Top -55 ... 125
Storage temperature Tstg -55 ... 150
Thermal Resistance
Parameter Symbol Value Unit
Junction - soldering point2) RthJS ≤ 90  K/W

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