种类:元素半导体 特性:高纯单晶硅 用途:用于二*管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件

*新研发出依托悬浮区熔技术的区熔单晶硅，高纯含量。

区熔炉FZ-30晶体生长设备设计生长直径达4”，长度达2000mm的单晶硅。

区熔炉的主要规格：

上、下轴提拉速度 0~30毫米/分

上、下轴转速 0~30转/分

上行程 2000毫米

下行程 2600毫米

发生器频率 2.5MHZ

发生器功率 120KW

发生器功率控制通过可控硅整流器控制 0~100%

企业名：九江市庐山新华电子有限公司

类型：生产加工

电话： 0792-8271166

联系人：刘剑

地址：江西九江前进西路340号