肖特基二*管—*R10150*
1、概述与特点
· 多层金-半硅势垒结构，多数载流子导电；
· 低功耗，*率；
· 用于低压高频逆变电路，续流电路和保护电路；
· 带过压（硼）保护环；
· 封装型式： TO-220；
· 双管芯结构。
2、*限值
2.1 *限值：（除其他标注外Tamb = 25℃）
参数 *号 数值 单位
*大反向重复峰值电压VRRM 150 V
反向峰值工作电压VRWM 150 V
*大直流阻断电压VDC 150 V
Tamb = 105℃ 整个器件*大正向平均整流电流IF(*) 10 A
正向峰值浪涌电流（额定负载8.3ms 半正弦波
—按JEDEC 方法）
IFSM 100 A
反向重复峰值浪涌电流
Tp = 2.0μs, 1KHZ
IR 0.2 mA
*大结电容 0V,1MHz CJ (Max) 300 pF
工作结温TJ -65～+175 ℃
储存温度范围TSTG -65～+175 ℃
2.2、电性能（除其他标注外Tamb = 25°C）
参数 *号 数值 单位
*大正向瞬态峰值压降双管芯单个器件
TF=5A， Tamb=25℃
VF 0.8 V
*大反向瞬态电流Tamb= 25°C IR 0.2 mA
TO-220
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1:阳

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