牌号:HT 产地:中国 含量≥:≤1.0*1018 at/cm3（%）
156*156多晶硅片规格标准：
生长方法 | Growth Method | DSS |
导电型号 | Conductive T*e | P |
掺杂剂 | Dopant | B |
电阻率 | Resistivity（ρ） | 1.0 -3.0Ω·cm |
少子寿命 | Minority Carrier Lifetime | ≥2μs(brick 硅块) |
氧含量 | Oxygen Content(oi) | ≤1.0*1018at/cm3 |
碳含量 | Carbon Content(c) | ≤1.0*1017at/cm3 |
硅片尺寸 | Size | 156*156&plu*n;0.5mm |
倒角线角度 | Bebel Edge Angle | 45°&plu*n; 10° |
倒角线宽度 | Bebel Edge Width | 0.5-2mm |
硅片厚度 | Thickness | 200&plu*n;20 μm |
总厚度变化 | TTV | ≤30μm |
线痕 | Saw Mark | ≤15μm |
弯曲度/翘曲度 | Bow/Warp | ≤75μm |
崩边 | chip | 深度<0.3mm；长度<0.5mm。 |
微裂纹 | Crack | 不允许 |
外观 | Appearance | 目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹 |
晶粒尺寸 | Crystal Grain | ≥1cm2 |
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