三*管 FUJI 2SK1941 N-沟道MOS-FET的

型号/规格：
2SK1941
品牌/商标：
FUJI

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市嘉年电子科技有限公司

类型：经销商

电话： 0755-88608324
0755-88608314

手机：

联系人：苏小姐/苏小姐

QQ：

邮箱：2243923464@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场C座27K

产品分类

新品上架

商品信息

主要参数

特征频率fT

当f= fT时，三*管*失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。

工作电压/电流

用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

hFE

电流放大倍数。

VCEO

集电*发射*反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。

PCM

*大允许耗散功率。

工作原理

晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。

当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电*电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给，从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic，这就是说，在基*补充一个很小的Ib，就可以在集电*上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持*的比例关系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数，集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三*管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

联系方式

企业名：深圳市嘉年电子科技有限公司

类型：经销商

电话： 0755-88608324
0755-88608314

手机：

联系人：苏小姐/苏小姐

QQ：

邮箱：2243923464@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场C座27K

相关产品