特性:高热导 功能:高散热片 微观结构:多晶 规格尺寸:根据客户需求（mm）
氮化铝陶瓷基片具有*170W/m·k的高热导率（为氧化铝的7倍）、较低的介电常数和介质损耗、*的*缘性能，优良的力学性能，*，*，耐化学腐蚀。产品经过清华大学新型陶瓷与精细工艺*重点实验室检测机构检验，其性能*国内同类产品，与日本、欧美等国产品水平相当。作为理想的*缘散热基板和封装材料，广泛应用于大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件等高技术领域。如：高功率微波射频器件、高亮度LED、影像传感器、电力电子器件等等。
AlN陶瓷基片主要性能指标 | |
性能内容 | 性能指标 |
热导率(W/m·k） | ≥170 |
体积电阻率（Ω·cm） | ＞1013 |
介电常数[1MHz,25℃] | 9 |
介电损耗[1MHz,25℃] | 3.8х10-4 |
*电强度(KV/mm) | 17 |
体积密度（g/cm3） | ≥3.30 |
表面粗糙度Ra(µm) | 0.3~0.5 |
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) | 4.6 |
*弯强度(MPa) | 320~330 |
弹性模量(GPa) | 310~320 |
莫氏硬度 | 8 |
吸水率(%) | 0 |
翘曲度(~/25(长度)) | 0.03~0.05 |
熔点 | 2500 |
外观/颜色 | 灰白色 |
注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1µm；
2.产品各向尺寸精度通过激光划线*，*小值&plu*n;0.10mm；
3.*规格产品可按客户要求定制生产。
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