特性:高频*缘陶瓷 功能:*缘装置陶瓷 微观结构:多晶
95%AL2O3瓷具有*压强度高、电性能优良、耐腐蚀、*氧化等特点，适用于真空器件、装置瓷件、线路*缘子、波段开关、电子管插座、电感线圈骨架、电容器支柱和支架、厚膜、薄膜电路基板、可控硅及固体电路外壳、火花塞瓷件、纺织瓷件、保险管瓷管及高温结构材料等
| 电子陶瓷材料性能 | ||||||
| 性能项目 | 单位及*号 | 97% AL2O3瓷 | 95% AL2O3瓷 | 90% AL2O3瓷 | 75% AL2O3瓷 | 滑石瓷 |
| 体积密度 | g/cm3 | > 4.0 | > 3.6 | > 3.4 | > 3.2 | > 2.6 |
| *折强度 | kgf/cm2 | 3880 | 2800 | 2300 | 2000 | 1200 |
| 线膨胀系数20。C ～500。C | ×10-6mm/。C | 6.8-7.8 | 6.5-7.5 | 6.3-7.3 | ≤ 6 | ≤ 8 |
| 介电常数IMH Z 20。C | 10-11 | 9 - 10 | 9 - 10 | ≤ 9 | ≤ 7.5 | |
| 介质损耗角正切值IMH220。C-500。C | × 10-4 | ≤ 3 | ≤ 4 | ≤ 6 | ≤ 10 | ≤ 20 |
| 体积电阻率100。C | Ω.cm | >1015 | >1014 | >1013 | >1013 | >1013 |
| 击穿强度 | kv/mm | 24 | 15 | 15 | ||
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