品牌:MEME8205 型号:ME8205 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:20(V) 夹断电压:20(V) 低频跨导:30(μS) 低频噪声系数:40(dB) *大漏*电流:100(mA) *大耗散功率:200(mW)
ME8205系列 共漏*N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点:
●20V/6A
●RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
●RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
●RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
●*密度单元、*小的RDS(ON))
●两种封装:TSSOP8、SOT23-6
应用:
●笔记本电池管理
●便携式设备
●电池电源系统
●DC/DC转换
●负载开关
●LCD显示适配器
深圳市衫芯电子有限公司,主要产品包括LDO系列,DC/DC系列、LED DRIVER、AC/DC系列,CHARGE ,PUMP,MOSFET系列
ME6206,ME6219.ME6211,ME2100,ME2309,MEM2318,MEM2307.XK3599,XK3582,XK3582D,XK3884D,
1N60,2N60,4N60,5N60,7N60,8N60,10N60,12N60,50N06,70N06,等
产品主要应用于充电器,开关电源,LCD显示器,UPS电源,电动车控制器,汽车音响,HID氙气车灯,加湿器,*灯等。
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