∟ 贴片/片式/SMD二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)
品牌:XX 型号:TVS 应用范围:肖特基 结构:肖特基 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:小功率 频率特性:变频 正向工作电流:50～200A（A） *高反向电压:=（0.8~0.9）（V）
我司长期供应二*管. TVS二*管与常见的稳压二*管的工作原理相似，如果高于标志上的击穿电压，TVS二*管就会导通，与稳压二*管相比，TVS二*管有更高的电流导通能力。TVS二*管的两*受到反向瞬态*量冲击时，以10-12S量级速度，将其两*间的高阻*变为低阻*，同时吸收*数千瓦的浪涌功率。使两*间的电压箝位于一个*值，*地保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的破坏。
瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个*量的瞬时过压脉冲时，其工作阻*能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而*地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在T ＝25℃，T＝10ms条件下，可达50～200A 。 双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
1、单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二*管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。 2、双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压*过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。
1、击穿电压V(BR) 器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR) 下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二*管成为低阻*的通路。 2、 *大反向脉冲峰值电流IPP 在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的*大脉冲峰值电流。IPP与*大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的*大值。 使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的*大瞬态浪涌功率。 当瞬时脉冲峰值电流出现时，TVS被击穿，并由击穿电压值上升至*大箝位电压值，随着脉冲电流呈指数下降，箝位电压亦下降，恢复到原来状态。因此，TVS能抑制可能出现的脉冲功率的冲击，从而*地保护电子线路。 峰值电流波形 A、正弦半波 B、矩形波 C 、标准波（指数波形） D、三角波 TVS峰值电流的试验波形采用标准波（指数波形），由TR/TP决定。 峰值电流上升时间TR:电流从0.1IPP开始*0.9IPP的时间。 半峰值电流时间TP：电流从*开始通过*大峰值后，下降到0.5IPP值的时间。下面列出典型试验波形的TR/TP值： A、EMP波：10ns /1000ns B、闪电波：8μs /20μs C、标准波：10μs /1000μs 3、 *大反向工作电压VRWM（或变位电压）器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值称为*大反向工作电压VRWM。通常VRWM =（0.8~0.9）V (BR) 。在这个电压下，器件的功率消耗很小。使用时，应使VRWM 不低于被保护器件或线路的正常工作电压。 4、 *大箝位电压Vc(max ) 在脉冲峰值电流Ipp 作用下器件两端的*大电压值称为*大箝位电压。使用时，应使Vc(max )不高于被保护器件的*大允许*电压。*大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。 即：箝位系数=Vc(max )/V(BR) 一般箝位系数为1.3左右。 *大箝位电压VC(max )的测试方法见4.4。 5、 反向脉冲峰值功率PPR TVS的PPR取决于脉冲峰值电流IPP和*大箝位电压Vc(max )，除此以外，还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。 当脉冲时间Tp*时，PPR =K1...＆#183;K2 ＆#183;Vc(max ) ＆#183;Ipp 式中K1为功率系数，K2为功率的温度系数。 典型的脉冲持续时间tp为1MS，当施加到瞬态电压抑制二*管上的脉冲时间tp 比标准脉冲时间短时，其脉冲峰值功率将随tp的缩短而增加。TVS的反向脉冲峰值功率PPR与经受浪涌的脉冲波形有关，用功率系数K1表示，各种浪涌波形的K1值如表1所示。 E=∫i(t).V(t)dt 式中：i(t)为脉冲电流波形，V(t)为箝位电压波形。 这个额定能量值在*短的时间内对TVS是不可重复施加的。但是，在实际的应用中，浪涌通常是重复地出现，在这种情况下，即使单个的脉冲能量比TVS器件可承受的脉冲能量要小得多，但若重复施加，这些单个的脉冲能量积累起来，在某些情况下，也会*过TVS器件可承受的脉冲能量。因此，电路设计*须在这点上认真考虑和选用TVS器件，使其在规定的间隔时间内，重复施加脉冲能量的累积不至*过TVS器件的脉冲能量额定值。 6、电容CPP TVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定，电容在*偏情况下，随偏置电压的增加，该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。 7、 漏电流IR 当*大反向工作电压施加到TVS上时，TVS管有一个漏电流IR，当TVS用于高阻*电路时，这个漏电流是一个重要的参数。
瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个*量的瞬时过压脉冲时，其工作阻*能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而*地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在T ＝25℃，T＝10ms条件下，可达50～200A 。 双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
1、单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二*管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。
2、双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压*过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。
1、击穿电压V(BR) 器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR) 下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二*管成为低阻*的通路。
2、 *大反向脉冲峰值电流IPP 在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的*大脉冲峰值电流。IPP与*大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的*大值。 使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的*大瞬态浪涌功率。 当瞬时脉冲峰值电流出现时，TVS被击穿，并由击穿电压值上升至*大箝位电压值，随着脉冲电流呈指数下降，箝位电压亦下降，恢复到原来状态。因此，TVS能抑制可能出现的脉冲功率的冲击，从而*地保护电子线路。 峰值电流波形 A、正弦半波 B、矩形波 C 、标准波（指数波形） D、三角波 TVS峰值电流的试验波形采用标准波（指数波形），由TR/TP决定。 峰值电流上升时间TR:电流从0.1IPP开始*0.9IPP的时间。 半峰值电流时间TP：电流从*开始通过*大峰值后，下降到0.5IPP值的时间。下面列出典型试验波形的TR/TP值： A、EMP波：10ns /1000ns B、闪电波：8μs /20μs C、标准波：10μs /1000μs
3、 *大反向工作电压VRWM（或变位电压）器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值称为*大反向工作电压VRWM。通常VRWM =（0.8~0.9）V (BR) 。在这个电压下，器件的功率消耗很小。使用时，应使VRWM 不低于被保护器件或线路的正常工作电压。
4、 *大箝位电压Vc(max ) 在脉冲峰值电流Ipp 作用下器件两端的*大电压值称为*大箝位电压。使用时，应使Vc(max )不高于被保护器件的*大允许*电压。*大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。 即：箝位系数=Vc(max )/V(BR) 一般箝位系数为1.3左右。 *大箝位电压VC(max )的测试方法见4.4。
5、 反向脉冲峰值功率PPR TVS的PPR取决于脉冲峰值电流IPP和*大箝位电压Vc(max )，除此以外，还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。 当脉冲时间Tp*时，PPR =K1...＆#183;K2 ＆#183;Vc(max ) ＆#183;Ipp 式中K1为功率系数，K2为功率的温度系数。 典型的脉冲持续时间tp为1MS，当施加到瞬态电压抑制二*管上的脉冲时间tp 比标准脉冲时间短时，其脉冲峰值功率将随tp的缩短而增加。TVS的反向脉冲峰值功率PPR与经受浪涌的脉冲波形有关，用功率系数K1表示，各种浪涌波形的K1值如表1所示。 E=∫i(t).V(t)dt 式中：i(t)为脉冲电流波形，V(t)为箝位电压波形。 这个额定能量值在*短的时间内对TVS是不可重复施加的。但是，在实际的应用中，浪涌通常是重复地出现，在这种情况下，即使单个的脉冲能量比TVS器件可承受的脉冲能量要小得多，但若重复施加，这些单个的脉冲能量积累起来，在某些情况下，也会*过TVS器件可承受的脉冲能量。因此，电路设计*须在这点上认真考虑和选用TVS器件，使其在规定的间隔时间内，重复施加脉冲能量的累积不至*过TVS器件的脉冲能量额定值。
6、电容CPP TVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定，电容在*偏情况下，随偏置电压的增加，该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。
7、 漏电流IR 当*大反向工作电压施加到TVS上时，TVS管有一个漏电流IR，当TVS用于高阻*电路时，这个漏电流是一个重要的参数。
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