否
国产
13003A
功率
硅(Si)
NPN型
600（V）
2（A）
35（W）
50（MHz）
面接触型
直插型
企业名：深圳市络展电子有限公司
类型：生产加工
电话： 0755-83815068
联系人：曾言
地址：广东深圳宝安区新湖路82号华美居商务中心B区516室
High Speed Switching
Wide SOA
Electronic Ballast
Electronic Transformer
LIMMITING VALU*(Tj=25℃Unless OtherWise Stated)
Parameter | Symbol | Value | Unit |
Collector-Base Voltage | VCBO | 600 | V |
Collector-Emitter Voltage | VCEO | 400 | V |
Emitter-Base Voltage | VEBO | 9 | V |
Collector Current | Ic | 1.0 | A |
Total Power Dissipattion | Pc | 0.8 | W |
Storage Temperature | Tstg | -65~150 | ℃ |
Junction Temperature | Tj | 150 | ℃ |
ELE*RICAL CHARA*ERISTICS（Tj=25℃Unless Otherwise Stated）
Parameter | Symbol | Test conditions | Min | Max | Unit |
Collector-Base Breakdown Voltage | BVCBO | Ic=0.5mA,Ie=0 | 600 |
| V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | BVCEO | Ic=10mA,Ib=0 | 400 |
| V |
Emitter-Base Breakdown Voltage | BVEBO | Ie=1mA,Ic=0 | 9 |
| V |
| Collector-Base Cutoff Current | ICBO | Vcb=600V,Ie=0 |
| 100 | μA |
| Collector- EmitterCutoff Current | ICEO | Vce=400V,Ib=0 |
| 0.5 | μA |
Emitter-Base Cutoff Current | IEBO | Veb=9V,Ic=0 |
| 100 | μA |
| DC Current Gain | hFE(1) | Vce=5V,Ic=200mA | 10 | 30 |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage | VCE(sat) | Ic=200mA,Ib=40mA |
| 0.5 | V |
Base-Emitter Saturation Voltage | VBE(sat) | Ic=200mA,Ib=40mA |
| 1.2 | V |
Storage Time | Ts | Vce=10V,Ic=100mA f=1MHZ | 2.0 | 6.0 | μS |
| Falling Time | Tf | 5 |
| MHZ |
芯片面积：1.18*1.18 ( mm )
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
