类别：分离式半导体产品

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.7A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26.5 毫欧 @ 5.7A, 10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1100pF @ 15V

功率 - 最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

包装：带卷 (TR)

 

MOSFET（全名为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

 

企业名：深圳市润芯微电子

类型：经销商

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