简介 许多开发人员都遇到过这样的情况：在实验室开发好的产品，测试完全通过，但到了客户手里用了一段时间之后，出现异常现象，甚至是产品失效需要返修，并且故障率往往也不高（1%以下）。一般情况下，以上问题大都由于浪涌冲击、ESD冲击等原因造成，安森美半导体提供多种类型的电路保护器件，使您不用再为以上问题烦恼。 超小SOT953封装4通道NUP45V6系列，可以对无线产品、手持产品及其他产品进行保护；低容抗的NUP2202及NUP4202，可以应用于USB2.0高速通信设备中；NUP1105L及NUP2105L可以保护您的LIN总线及CAN总线；双通道的SM系列可以应用于RS232、RS485总线上。 NUP1105L LIN Bus保护器件 SOT-23单通道TVS/ESD保护器件， 峰值350W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型 号 反向击穿电压 反向漏电流 容抗(pF) @0V，1.0MHz 反向 浪涌电流 反向电压 @Ipp(箝位电压) 峰值功率 (8x20us) VBR(V) @IT IR VRWM Min Nom Max (mA) (uA) (V) Typ Max Ipp(A) Vc(V) Watts NUP1105L 25.7 28.4 1.0 0.1 24 30 8.0 44 350 NUP2105L CAN Bus保护器件 SOT-23双通道TVS/ESD保护器件， 峰值350W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型号 反向击穿电压 反向漏电流 容抗(pF)@0V，1.0MHz 反向 浪涌电流 反向电压 @Ipp(箝位电压) 峰值功率 (8x20us) VBR(V) @IT IR VRWM Min Nom Max (mA) (uA) (V) Typ Max Ipp(A) Vc(V) Watts NUP2105L 26.2 32 1.0 0.1 24 30 - 8.0 44 350 安森美USB保护器件符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型号 反向击穿电压 反向漏电流 容抗(pF)@0V，1.0MHz 反向 浪涌电流 反向电压 @Ipp(箝位电压) 峰值功率(8x20us) VBR(V) @IT IR VRWM Min Nom Max (mA) (uA) (V) Typ Max Ipp(A) Vc(V) Watts NUP4202W1 6.0 - - 1.0 5.0 5.0 3.0 5.0 28 20 500 NUP2202W1 6.0 - - 1.0 5.0 5.0 3.0 5.0 28 20 500 NUP2202及 NUP4202应用原理图单通道TVS/ESD保护SOD-23单通道TVS/ESD保护器件， 峰值350W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型号 反向击穿电压 反向 工作电压 反向 漏电流 反向 浪涌电流 反向电压 @Ipp(箝位电压) 容抗(pF) VBR(V) @IT Min Nom Max (mA) VRWM (V) IR(uA) Ipp(A) VC(V) （pF） SD05（单向） 6.2 6.75 7.3 1.0 5.0 10 24 14.5 350 SD12（单向） 13.3 14.5 15.75 1.0 12 1.0 15 25 150 SD12C（双向） 13.3 - - 1.0 12 1.0 15 24 64 SOD-923单通道TVS/ESD保护器件， 峰值100W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型号 反向击穿电压 反向 工作电压 反向 漏电流 反向 浪涌电流 反向电压 @Ipp(箝位电压) 容抗 (pF) VBR(V) @IT Min Nom Max (mA) VRWM (V) IR(uA) Ipp(A) VC(V) （pF） ESD9X3.3S 5.0 - - 1.0 3.3 2.5 9.8 10.4 80 ESD9X5.0S 6.2 - - 1.0 5.0 1.0 8.7 13.3 65 ESD9X12S 13.5 - - 1.0 12 1.0 5.9 23.7 30 双通道TVS/ESD保护 SOT-23双通道TVS/ESD保护器件， 峰值300W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型号 反向击穿电压 反向工作电压 反向漏电流 反向浪涌电流 反向电压@Ipp(箝位电压) 容抗(pF) VBR(V) @IT Min Nom Max (mA) VRWM (V) IR(uA) Ipp(A) VC(V) （pF） SM05 6.2 6.75 7.3 1.0 5.0 10 17 9.8 225 SM12 13.3 14.5 15.75 1.0 12 1.0 12 19 95 四通道低容抗TVS/ESD保护器件 SOT-953封装，符合IEC61000-4-2，Level 4标准 型号 反向击穿电压(V) 漏电流IRM@VRM 典型容抗@0V偏置(pF) 典型容抗@3V偏置(pF) Min Nom Max VRWM IRWM(uA) Typ Max Yyp Max NUP45V6P5 5.3 5.6 5.9 3.0 1.0 13 17 7.0 11.5 NUP46V8P5 6.47 6.8 7.14 4.3 1.01 12 15 6.7 9.5 NUP412VP5 11.4 12 12.7 9.0 1.0 6.5 10 3.5 5.0 防雷保护器件 NP系列（低电容/低电压）过压保护芯片，保护高速xDSL驱动器及其他芯片免受雷击和ESD冲击的损害。内部极低的漏电流使其非常适合应用于低压高速的场合，芯片拥有低容抗特性，可使高速数据无损通过保护系统。 先进的硅结构技术使NP系列产品拥有化的尺寸，能够快速应对ESD冲击、高能量浪涌冲击。 芯片特性 低容抗特性 极低的差分电容 低漏电流 高抑制浪涌能力 精准的电压箝位功能 小封装尺寸 双向操作 直通布局 符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD标准 无铅封装 应用方向 VDSL、ADSL，消费类终端设备，网关，以太网设备，RS232、RS485设备 型号 VRWM VBR IVR@VR=VRWM C@VR=2V Δ℃ 0V-VRWM 冲击峰值电流@ 8x20us (V) (V) (uA) (pF) (pF) (A) NP0080TAT1G 8 9.5 0.5 13 4 50 NP0120TAT1G 12 12.5 0.5 11 3 50 NP0160TAT1G 16 18 0.5 11 3 50

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