• 品牌/型号：IR/国际整流器/IRF84OPBF
• 型号：IRF84OPBF
• 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
• 品牌：IR/国际整流器
• 用途：NF/音频低频
• 材料：ALGaAS铝镓砷
• 种类：绝缘栅MOSFET
• 沟道类型：N沟道
• 导电方式：耗尽型
• 属性：属性值

近几年来，“中国空芯化”问题引起社会关注。据统计，芯片年进口额近2000亿美元。芯片是手机、电脑、汽车、家用电器等产品的“大脑”，而以芯片为主的集成电路80%的需求量依赖进口。如果“大脑”的控制权不在我们手中，将存大巨大隐患。为此，解决“中国空芯化”问题显得更加迫在眉睫。

当前中国集成电路产业面临诸多考验：一是与国际水平的差距较大。摩尔定律虽接近极限，但仍在推动工艺制程提升，业界预计工艺制程将发展到7nm~5nm。当前国际先进工艺今年年底将试产14nm，而国内28nm工艺还在试运行，我们与国外的工艺技术水平差距超过两代。二是先进工艺的研发要求巨额投入，动辄几十亿美元、上百亿美元的投入，对国内企业来说是一种巨大的挑战。三是高端工艺制程时代，国外巨头将强强联手，国内企业的生存空间将更小。

要解决“中国空芯化”问题，就必须解决“芯片制造”问题。芯片制造大体包括代工、封装测试环节。尤其是后端的封装测试环节，如果该环节的工艺技术实现不了，那么芯片将无法生产出来。

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