基本信息

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 62A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3247pF @ 25V
功率 - ：200W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF3205PBF

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）

一：结型场效应管

 1.结型场效应管的分类
 结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管（符号图为（1））和P沟道结型场效应管（符号图为（2））

从图中我们可以看到，结型场效应管也具有三个电极，它们是：G——栅极；D——漏极；S——源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)
 在D、S间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流ID，我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流ID。
3.结型场效应管的特性曲线(以N沟道结型场效应管为例)

输出特性曲线：（如图（3）所示）
根据工作特性我们把它分为四个区域，即：可变电阻区、放大区、击穿区、截止区。
  对此不作很深的要求，只要求我们看到输出特性曲线能判断是什麽类型的管子即可

转移特性曲线：
                 
我们根据这个特性关系可得出它的特性曲线如图（4）所示。它描述了栅、源之间电压对漏极电流的控制作用。

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