RD60HUF1：RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W
D*CRIPTION
RD60HUF1 is a MOS FET t*e transistor specifically designed for UHF High power amplifiers applications.

FEATUR*
High power and High Gain:Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 55%t*.on UHF Band

APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in UHF Band mobile radio sets.RoHS

COMPLIANT
RD60HUF1-101 is a RoHS compliant products.RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.

深圳市浩时健电子技术有限公司代理经销三菱、东芝RA,RD,S-*,S-AU，2SC全系列射频元件：
RD07MVS1,RD07MVS1,RD07MVS1,RD15HVF1,RD30HVF1,RD70HVF1,RD01MUF1,RD30HUF1,RD60HUF1,RD10HMF1,
RD20HMF1,RD45HMF1,RD00HHS1,RD06HHF1,RD16HHF1,RD70HHF1,RD100HHF1,RD00HVS1,RD02MUS1,RD02MUS1,
RD02MUS1,RD02MUS1 。S-*, S-AU, S-*36A, S-*32A,  S-AU83AL,  S-AU35A,  2SC2879A,  2SC2782A等。**原装，*新批号，无铅*，*十。深圳、香港公司备有大量现货库存，量大优惠，也可提供样品，现*热卖中！

三菱MITSUBISHI公司在2002年底前已经完成了全系列射频三*管的更新换代,原2SC开头的射频三*管已*停产,替代以RD开头的新的型号,新一代的射频三*管的优点是采用了*材料,实现无铅化;*设计成国际*行的射频场效应三*管,增益有了很大的*;*性和一致性也大有*.这些优点您在使用中*会有深切的体会.如果需要详细的技术资料，可以*向我们索取。谢谢合作!欢迎来电咨询！