导电类型：                 P型
硅片正方尺寸（mm）:        156mm×156mm±0.5mm
硅片对角线（mm）:          219.20mm±0.7mm
硅片厚度（中心值）（μm）：200±18
总厚度变化（μm）：        ＜30（五点测试法）
电阻率范围（Ωcm）：       1.0~3.0
掺杂元素：                 硼
碳含量（原子/立方厘米）：  ＜7×10ˇ17
氧含量（原子/立方厘米）：  ＜4×10ˇ17
少数载流子寿命（μs）：    ＞2
表面质量：                 无裂纹、缺口、缺角、穿孔、脏污
翘曲度（Warp/μm）：       ≤40
邻变垂直度：               90°±0.2°
崩边(mm) ：                弦长＜1mm，深度＜0.5mm，单片数量＜2个
线痕（μm）：              ＜15
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