| 产品类型 | 发光二*管 | 是否* | 否 |
| 品牌/商标 | 佰鸿 | 型号/规格 | 335 白色 |
| 材料 | 氮化镓(GaN) | 主要参数 | * |
| 用途 | * | 备注 | * |
发光二*管照明又称LED照明，是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。
LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其*是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在*条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发*合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发*合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光*在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即
λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二*管，但其中蓝光二*管成本、价格很高，使用不普遍。
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