∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)∟ 开关三极管(3)∟ 其他三极管(1)
| 加工定制：是 | 品牌：桂微牌 | 型号：A733/CS |
| 应用范围：放大 | 材料：硅 | *性：NPN型 |
| 集电**大允许电流ICM：0.15（A） | 截止频率fT：50（MHz） | 结构：点接触型 |
| 封装形式：贴片型 | 封装材料：塑料封装 |
桂林斯壯微電子有限责任公司
Guilin Strong MicroElectronics Co.,Ltd.
GMA733
■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) *大額定值
CHARA*ERISTIC
特性參數
| Symbol
*號
| Rating
額定值
| Unit
單位
|
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
| VCBO
| -60
| Vdc
|
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
| VCEO
| -50
| Vdc
|
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
| VEBO
| -5.0
| Vdc
|
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
| Ic
| -150
| mA
|
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
| PC
| 200
| mW
|
Junction Temperature
結溫
| Tj
| 150
| ℃
|
Storage Temperature Range
儲存溫度
| Tstg
| -55～150
| ℃
|
■DEVICE MARKING打標
GMA733(A733LT1)=CS
HFE:120-220 200-475
|
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GMA733
■ELE*RICAL CHARA*ERISTICS電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted如無*說明,溫度爲25℃)
Characteristic
特性參數
| Symbol
*號
| Test Condition
測試條件
| Min
*小值
| T*
典型值
| Max
*大值
| Unit
單位
|
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
| ICBO
| VCB=-60V,
IE=0
| —
| —
| -0.1
| μA
|
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
| IEBO
| VEB=-5V,
IC=0
| —
| —
| -0.1
| μA
|
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
| V(BR)CBO
| IC=-5μA
| -60
| —
| —
| V
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
| V(BR)CEO
| IC=-1.0mA
| -50
| —
| —
| V
|
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
| V(BR)EBO
| IE=-50μA
| -5
| —
| —
| V
|
DC Current Gain
直流電流增益
| HFE
| VCE=-6V,
IC=-1mA
| 120
| —
| 475
| —
|
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
| VCE(sat)
| IC=-100mA, IB=-10mA
| —
| —
| -0.3
| V
|
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
| VBE
| VCE=-6V,
IC=-1mA
| —
| —
| -0.68
| V
|
Transition Frequency
特徵頻率
| fT
| VCE=-6.0V,
IC=-10mA
| 50
| —
| —
| MHz
|
桂林斯壯微電子有限責任公司
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GMA733
■DIMENSION外形封裝尺寸
單位(UNIT)：mm
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
