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应用范围:触发 品牌:国产 型号:db3 结构:合金扩散型 材料:锗(Ge) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装
双向触发二*管的结构、*号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基*开路、发射*与集电*对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性*对称。
当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态；当 U>Ubo 时进入负阻区。同样，当|U|*过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用△Ub表示
△Ub=Ubo-|Ubr|
一般要求 △UbV(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V（B）表示。△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）应小于2伏。双向触发二*管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二*管，表针均应不动（RX10k),但还不能*确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各），电压大的V（BR）。例如：测一只DB3型二*管，*次为27.5V，反向后再测为28V，则△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。
图７是双向触发二*管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。
双向触发二*管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。
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