PT8205
中光
类型:原厂制造商
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0519-69806757
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联系人:芮小姐/王先生/胡小姐
邮箱:350249299@qq.com
地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号
∟ 贴片/片式/SMD二极管(211)∟ 整流二极管(115)∟ 稳压二极管(372)∟ 开关二极管(27)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(154)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(2)∟ 检波二极管(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(84)∟ 瞬态(变)抑制二极管(36)∟ 触发二极管(3)∟ 肖特基二极管(96)∟ 其他二极管(7)
产品信息:
类型:其他IC
品牌:GOOD-ARK
型号:PT8205
主要参数
1.开启电压VT
·开启电压(又称阈值电压):使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压;
·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比
·这一特性有时以流过栅*的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面:
(1)漏*附近耗尽层的雪崩击穿
(2)漏源*间的穿通击穿
·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为*,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID
定义:
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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