特点

•时钟频率：166，143，133 MHz的

•完全同步，所有引用到的信号时钟上升沿

•对隐藏行访问/预充电的内部银行

•单电源：3.3V 0.3V

•LVTTL接口

•可编程的突发长度

•可编程突发序列：顺序/交织

•自动刷新（CBR）

•自刷新

•4096刷新周期每16ms（A2级）或64毫秒（商业，工业，A1级）

•随机列地址每时钟周期

•可编程CAS延时（2?3个时钟）

•突发读/写和突发读/单写作战能力

•突发爆裂停止和预充电终止命令OPTIONS

•封装：86脚TSOP-II，90球TF-BGA

•工作温度范围：

商用（0℃至 70℃）

工业（-40oC至 85 oC）

汽车级，A1（-40oC至 85 oC）

汽车级，A2（在-40oC到 105 oC）

器件概述

128Mb的SDRAM是一种高速CMOS，动态设计为工作在3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq的内存系统包含134,217,728位。在内部配置为四银行的DRAM与同步接口。每33,554,432位银行组织4096行，256列32位。128Mb的SDRAM自动刷新模式，和节电省电模式下。所有信号都时钟信号CLK的正边缘上注册。所有的输入和输出的LVTTL的兼容。

128Mb的SDRAM有能力同步爆在高数据传输率的数据与自动列地址代的能力，内部银行之间的交互，隐藏预充电时间和能力，以随机在每个时钟周期改变列地址突发访问。

深圳市科盛元电子科技有限公司

姜先生

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