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场效应管NTP75N03RG-N沟道75A25V

场效应管NTP75N03RG-N沟道75A25V
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  • 企业名:北京巨朝立科技有限公司

    类型:经销商

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    地址:北京北京中国 北京市 北京市中关村大街32号新中发电子市场1768#

产品分类
商品信息

品牌:0N/安森美型号:NTP75N03RG种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型开启电压:25(V)
夹断电压:+-20(V)

*原装北京现货供应!~贴片封装场效应管,75A,25V,大量现货销售!~

MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C Unless otherwise specified)
Parameter Symbol Value Unit
Drain−to−Source Voltage VDSS 25 Vdc
Gate−to−Source Voltage − Continuous VGS &plu*n;20 Vdc
Thermal Resistance − Junction−to−Case
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Drain Current
− Continuous @ TC = 25°C
− Single Pulse (tp = 10 s)
R JC
PD
ID
IDM
1.68
74.4
75
225
°C/W
W
AA
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient
(Note 1)
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Drain Current − Continuous @ TA = 25°C
R JA
PD
ID
60
2.08
12.6
°C/W
WA
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient
(Note 2)
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Drain Current − Continuous @ TA = 25°C
R JA
PD
ID
100
1.25
9.7
°C/W
WA
Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg −55 to
150
°C
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche
Energy − Starting TJ = 25°C
(VDD = 30 Vdc, VGS = 10 Vdc, IL = 12 Apk,
L = 1 mH, RG = 25 )
EAS 71.7 mJ
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes, 1/8, from Case for 10 Seconds
TL 260 °C

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