| 品牌：FAIRCHILD/*童 | 型号：FQA9N90C | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：-（V） |
| 夹断电压：-（V） | 跨导：-（μS） | *间电容：-（pF） |
| 低频噪声系数：-（dB） | *大漏*电流：-（mA） | *大耗散功率：-（mW） |
| 制造商: | Fairchild Semiconductor |
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | RoHS *合 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管*性: | N-Channel |
| 电阻汲*/源* RDS（导通）: | 1.4 Ohms |
| 正向跨导 gFS（*大值/*小值） : | 9.2 S |
| 汲*/源*击穿电压: | 900 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 30 V |
| 漏*连续电流: | 9:00 AM |
| 功率耗散: | 280 W |
| *大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-*N |
| 封装: | Tube |
| *小工作温度: | - 55 C |
| *件号别名: | FQA9N90C_NL |
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