否
国产
SS8050 .Y1 SS8550.Y2
功率
硅(Si)
NPN型
40（V）
1.2/1.5（A）
0.3（W）
100（MHz）
点接触型
贴片型
企业名：深圳市宝安区沙井科安迪电子经营部
类型：经销商
电话：
联系人：叶坚伟
地址：广东深圳中国 广东 深圳市宝安区 沙井电子城
参数名称 | *号 | 测试条件 | *小值 | *大值 | 单位 |
集电*—基*击穿电压 | V(BR)CBO | IC=100μA，IE=0 | 40 |
| V |
集电*—发射*击穿电压 | V(BR)CEO | IC=0.1μA，IB=0 | 25 |
| V |
发射*—基*击穿电压 | V(BR)EBO | IE=100μA，IC=0 | 5 |
| V |
基*截止电流 | ICBO | VCB=40V,IE=0 |
| 0.1 | μA |
集电*截止电流 | ICEO | VCE=20V,IE=0 |
| 0.1 | μA |
发射*截止电流 | IEBO | VEB=5V,IC=0 |
| 0.1 | μA |
直流电流增益 | hFE（1） | VCE=1V,IC=100mA | 120 | 400 |
|
hFE（2） | VCE=1V,IC=800mA | 40 |
|
| |
集电*—发射*饱和电压 | VcE(sat) | IC=800mA,IB=80mA |
| 0.5 | V |
基*—发射*饱和电压 | VBE(sat) | IC=800mA,IB=80mA |
| 1.2 | V |
特征频率 | fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHZ | 100 |
| MHZ |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
