半导体激光器的发展
 半导体激光器又称激光二*管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的*新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器*新技术，同时还发展了*E、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够*地控制晶体生长，*原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。于是，制作出的LD，其阈值电流显著下降，转换效率大幅度*，输出功率成*长，使用寿命也明显加长。





　　A 小功率LD
　　用于信息技术领域的小功率LD发展*快。例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈(DFB)和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长(如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光)LD、量子阱面发射激光器以及*短脉冲LD等都得到实质性发展。这些器件的发展特征是：单频窄线宽、*率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。
　　B 高功率LD
　　1983年，波长800nm的单个LD输出功率已*过100mW，到了1989年，0.1mm条宽的LD则*3.7W的连续输出，而1cm线阵LD已*76W输出，转换效率达39%。1992年，美国人又把指标*到一个新水平：1cm线阵LD连续波输出功率达121W，转换效率为45%。现在，输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。*率、高功率LD及其列阵的*发展也为全固化激光器，亦即半导体激光泵浦(LDP)的固体激光器的迅猛发展提供了强有力的条件。
　　近年来，为适应EDFA和EDFL等需要，波长980nm的大功率LD也有很大发展。*近配合光纤Bragg光栅作选频滤波，大幅度*其输出稳定性，泵浦效率也得到**。
　　特点及应用范围：半导体二*管激光器是实用中*重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用*GHz的频率直接进行电流调制以获得*调制的激光输出。由于这些优点，半导体二*管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。
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