驱动IC
TO-263-7
IRLS3034-7PPbF
2007
锗(Ge)
IR/国际整流器
放大
企业名：深圳市海滨电子有限公司
类型：经销商
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联系人：陈海滨
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳市福田区华强北都会电子城2B102
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的*性不同，可分为n-t*e与p-t*e的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)*缘层(图lc)，*后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在*缘层上及两个孔内做成三个电*：G(栅*)、S(源*)及D(漏*)，如图1d所示。
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