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SGW25N120 H25T120

SGW25N120 H25T120

SGW25N120 H25T120

漏*电流：
0
材料：
GE-N-FET锗N沟道
种类：
结型(JFET)
型号/规格：
SGW25N120
封装外形：
LLCC/无引线陶瓷片载
品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
用途：
MOS-FBM/全桥组件
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
低频噪声系数：
0
*间电容：
00

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管方泽雄

类型：经销商

电话：

联系人：方泽雄

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店镇沿江东路151—153号

产品分类

场效应管MOSFET(394)
∟ 结型场效应管(184)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-26

SGW25N120 H25T120

联系方式

企业名：结型场效应管方泽雄

类型：经销商

电话：

联系人：方泽雄

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店镇沿江东路151—153号

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