场效应IRG*C30K-S

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRG*C30K-S
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
GaAS-FET砷化镓
开启电压：
30（V）
夹断电压：
30（V）
跨导：
30（μS）
*间电容：
45（pF）

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企业名：结型场效应管蔡楚杰

类型：生产企业

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联系人：蔡楚杰

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店镇东风二路107号

产品分类

场效应管MOSFET(137)
∟ 结型场效应管(62)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-05

原装供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S供应场效应IRG*C30K-S

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