IRFBG20PBF IR 国际整流器用于机顶盒上面的芯片

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRFBG20PBF
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

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企业名：结型场效应管深圳市广鑫世纪电子有限公司

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产品分类

场效应管MOSFET(106)
∟ 结型场效应管(92)

新品上架

商品信息 更新时间：2012-12-18

标准包装 1,000
类别分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点标准型

漏*至源*电压(Vdss) 1000V (1kV)

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 1.4A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 11 欧姆 @ 840mA, 10V

Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) 500pF @ 25V

功率 - *大 54W

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商设备封装 TO-220AB

包装管件