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MOS管 三*管 场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD

MOS管 三*管 场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD
MOS管 三*管 场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PH50K

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 开启电压:

    *(V)

  • 夹断电压:

    *(V)

  • 跨导:

    *(μS)

  • *间电容:

    *(pF)

  • 低频噪声系数:

    *(dB)

  • 漏*电流:

    *(mA)

普通会员
  • 企业名:结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

    类型:经销商

    电话:

    手机:18922867849

    联系人:韦蘅珍

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室

产品分类
商品信息 更新时间:2013-02-10

数据列表 IRG4PH50KDPbF
 
产品相片 TO-247-3
 
标准包装 25
类别 分离式半导体产品 
家庭 IGBT - 单路 
系列 -
IGBT 类型 -
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 1200V
 
Vge, Ic时的*大Vce(开) 3.5V @ 15V, 24A
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 45A
 
功率 - *大 200W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)
 
供应商设备封装 TO-247AC
 
包装 散装
 
其它名称 *IRG4PH50KDPBF
 
 

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联系方式

企业名:结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司

类型:经销商

电话:

手机:18922867849

联系人:韦蘅珍

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室

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